[发明专利]多管芯细粒度集成电压调节

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体基板；

多个无源结构，所述多个无源结构在所述半导体基板的表面上形成为阵列，其中所述无源结构包括形成在所述半导体基板上的一个或多个无源元件，所述无源元件中的至少一个无源元件是电容器，并且其中所述阵列包括在所述半导体基板的所述表面上的沿x方向和y方向的规则阵列，沿所述x方向和y方向的所述规则阵列包括沿所述x方向排列的至少两个电容器和沿所述y方向排列的至少两个电容器；和

在所述半导体基板的所述表面上的多个端子，所述多个端子用于将无源结构的阵列耦接到至少一个附加半导体器件；

其中所述阵列包括所述无源结构的平铺图案，并且其中所述平铺图案的每个铺片包括在所述半导体基板的所述表面上的、与所述铺片中的所述无源元件以不同方式相关联的所述多个端子中的至少两个端子，并且其中与所述铺片中的所述无源元件以不同方式相关联的第一端子包括用于所述铺片中的所述无源元件的阳极，并且与所述铺片中的所述无源元件以不同方式相关联的第二端子包括用于所述无源元件的阴极。

2.根据权利要求1所述的器件，其中所述阵列中的所述无源结构中的两个或更多个无源结构耦接在一起。

3.根据权利要求1所述的器件，还包括形成在所述半导体基板上的一个或多个开关。

4.根据权利要求1所述的器件，其中所述端子间隔开最小距离，以禁止在所述无源元件之间发生短接。

5.根据权利要求1所述的器件，其中所述多个端子中的至少一个端子包括硅通孔(TSV)。

6.根据权利要求1所述的器件，还包括形成在所述半导体基板上的存储器器件。

7.根据权利要求1所述的器件，其中所述多个端子允许将所述无源结构耦接到至少两个附加半导体器件。

8.根据权利要求1所述的器件，其中所述端子中的至少一些端子被配置为耦接到包括构造封装件的附加半导体基板。

9.根据权利要求1所述的器件，其中用于所述无源元件的所述阳极和所述阴极被置于所述铺片的对角处。

10.一种半导体器件封装件，包括：

第一半导体器件，所述第一半导体器件包括：

第一半导体基板；

多个无源结构，所述多个无源结构在半导体基板的表面上形成为阵列，其中所述无源结构包括一个或多个无源元件，所述一个或多个无源元件形成在所述第一半导体基板上，所述无源元件中的至少一个无源元件是电容器，并且其中所述阵列包括在所述半导体基板的所述表面上的沿x方向和y方向的规则阵列，沿所述x方向和y方向的所述规则阵列包括沿所述x方向排列的至少两个电容器和沿所述y方向排列的至少两个电容器；和

一个或多个第一端子，所述一个或多个第一端子位于所述第一半导体基板的第一侧上；和

一个或多个第二端子，所述一个或多个第二端子位于所述第一半导体基板的第二侧上；

其中所述阵列包括所述无源结构的平铺图案，并且其中所述平铺图案的每个铺片包括在所述半导体基板的所述第一侧上的、与所述铺片中的所述无源元件以不同方式相关联的所述第一端子中的至少两个第一端子，并且其中与所述铺片中的所述无源元件以不同方式相关联的第一端子包括用于所述铺片中的所述无源元件的阳极，并且与所述铺片中的所述无源元件以不同方式相关联的第二端子包括用于所述无源元件的阴极；

第二半导体器件，所述第二半导体器件使用所述第一端子中的一个或多个第一端子耦接到所述第一半导体器件，所述第二半导体器件包括：

第二半导体基板；和

一个或多个电流消耗元件，所述一个或多个电流消耗元件形成在所述第二半导体基板上；和

第三半导体基板，所述第三半导体基板耦接到所述第一半导体器件和所述第二半导体器件，其中所述第三半导体基板使用所述第二端子中的一个或多个第二端子直接耦接到所述第一半导体器件，并且其中所述第三半导体基板使用一个或多个第三端子直接耦接到所述第二半导体器件。