[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

粘合层形成工序，在半导体晶片的第1主面以使外周部侧比中央部侧突出的方式形成粘合层；

粘合工序，以使所述粘合层覆盖至所述半导体晶片的侧面的方式，经由所述粘合层将支撑基板粘合于所述半导体晶片的第1主面，

所述支撑基板的、与所述半导体晶片的第1主面相向的面和侧面之间的角部被倒角，通过所述粘合层覆盖所述支撑基板的从所述被倒角的部分到外侧的部分，

所述制造方法还包括：去除工序，在所述粘合工序后，去除覆盖所述支撑基板的从所述被倒角的部分到外侧的部分的所述粘合层。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述半导体晶片的、所述半导体晶片的第1主面和侧面之间的角部被倒角，

所述制造方法还包括：薄化工序，在粘合于所述支撑基板的状态下，将所述半导体晶片的第2主面研磨直至达到所述半导体晶片的所述被倒角的部分，使所述半导体晶片的厚度变薄，

在所述去除工序中，使覆盖通过所述薄化工序使厚度变薄的、所述半导体晶片的从第1主面到所述被倒角的部分的所述粘合层保留。

3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，还包括：

单元结构形成工序，在所述去除工序前，在通过所述薄化工序使厚度变薄的所述半导体晶片的第2主面形成单元结构，

在所述去除工序中，以使所述粘合层的外周位置位于与所述半导体晶片的外周位置相比靠外侧的方式，减小所述支撑基板和所述粘合层的结合面积。