[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，为具有沟槽结构的半导体装置，其特征在于，具备：

第一沟槽，形成于第一导电型的半导体层的表面层；

第二导电型的基区，沿所述第一沟槽的一侧的侧壁以比所述第一沟槽浅的深度在所述半导体层的表面层选择性地形成；

发射区，在所述基区的表面层与所述第一沟槽的侧壁接触而形成；

第二导电型的浮置电位区，沿所述第一沟槽的另一侧的侧壁在所述半导体层的表面层选择性地形成；

第一绝缘膜，沿所述第一沟槽的一侧的侧壁而设置；

第二绝缘膜，沿所述第一沟槽的另一侧的侧壁而设置；

第一栅电极，在所述第一绝缘膜的内侧，沿所述第一沟槽的一侧的侧壁而设置；

屏蔽电极，在所述第二绝缘膜的内侧，沿所述第一沟槽的另一侧的侧壁而设置；

第三绝缘膜，在所述第一沟槽的内部，填入到所述第一栅电极和所述屏蔽电极之间；

层间绝缘膜，覆盖所述第一栅电极、所述屏蔽电极以及所述发射区；

第二栅电极，设置在所述层间绝缘膜上；

发射电极，在所述层间绝缘膜上与所述第二栅电极分离而设置；

电位固定电极，在所述层间绝缘膜上与所述第二栅电极分离而设置；

第一接触孔，选择性地设置于被所述第二栅电极和所述第一栅电极夹住的部分的所述层间绝缘膜，并填入有用于导通连接所述第二栅电极和所述第一栅电极的第一接触插塞，并且配置在所述第一沟槽的正上方；

第二接触孔，选择性地设置于被所述电位固定电极和所述屏蔽电极夹住的部分的所述层间绝缘膜，并填入有用于导通连接所述电位固定电极和所述屏蔽电极的第二接触插塞，并且配置在所述第一沟槽的正上方；和

第三接触孔，选择性地设置于被所述发射电极和所述发射区夹住的部分的所述层间绝缘膜，并填入有用于导通连接所述发射电极和所述发射区的第三接触插塞，

所述第一沟槽是环状的平面形状，所述第一栅电极和所述屏蔽电极是所述第一栅电极包围所述屏蔽电极的平面形状。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述电位固定电极与所述发射电极成为一体。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还具备：

第二沟槽，与所述第一沟槽的一侧的侧壁连接；和

第三沟槽，与所述第一沟槽的另一侧的侧壁连接，

在所述第二沟槽的内部，沿所述第二沟槽的内壁设置有所述第一绝缘膜，

在所述第三沟槽的内部，沿所述第三沟槽的内壁设置有所述第二绝缘膜，

在所述第二沟槽的内部的所述第一绝缘膜的内侧，设置有所述第一栅电极，

在所述第三沟槽的内部的所述第二绝缘膜的内侧，设置有所述屏蔽电极，

所述第二栅电极借由所述第一接触插塞与设置于所述第二沟槽内部的所述第一栅电极导通连接，

所述电位固定电极借由所述第二接触插塞与设置于所述第三沟槽内部的所述屏蔽电极导通连接。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述第二沟槽的宽度比所述第一沟槽的宽度窄。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述第三沟槽的宽度比所述第一沟槽的宽度窄。

6.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述第二沟槽的两端以及所述第三沟槽的两端与所述第一沟槽连接。

7.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述第二沟槽与所述发射区分离而设置。

8.根据权利要求3至7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述第三沟槽设置于所述浮置电位区。