[发明专利]保护膜形成用膜

说明书

技术领域

本发明涉及用于对例如半导体芯片的背面进行保护的保护膜形成用膜。

背景技术

以往，使用被称为倒装方式的安装法进行了半导体装置的制造。在倒装方式中，半导体芯片的形成有凸块等电极的芯片表面与基板等对置并接合，另一方面，芯片背面露出，因此，用保护膜进行了保护。在由保护膜保护的半导体芯片(以下，称为“带有保护膜的芯片”)的背面，通常通过激光打印等在保护膜上打印标记、文字等。

上述保护膜通过例如树脂涂敷等而形成，但近年来，例如如专利文献1公开的那样，为了确保膜厚的均匀性等，粘贴保护膜形成用膜而形成的保护膜正在被实用化。

专利文献1公开的保护膜形成用片的保护膜为单层结构，但近年来，进行了各种将用于对半导体进行密封的密封片、及保护膜形成用膜的保护膜等制成2层结构的尝试。

例如，专利文献2中公开了一种密封用片，其由含有第一高分子量成分的第一树脂层和第二树脂层形成，所述第二树脂层含有热固化性成分、无机填料及第二高分子量成分，且第二树脂层的各成分含量为给定的范围。

另外，专利文献3公开了一种芯片保护用膜，其具有粘接在芯片上的低硬度层、和设置于该低硬度层上的用来进行激光标记的高硬度层，其中，高硬度层是含有粘合剂聚合物成分、能量固化性成分和光聚合引发剂的能量线固化型树脂层。

此外，专利文献4公开了由晶片粘接层和激光标记层叠层而成的半导体背面用膜。对于该半导体背面用膜而言，通过使激光标记层在未固化状态下的弹性模量较高，在未固化状态下进行激光标记时的打印性得到了提高。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2002-280329号公报

专利文献2：日本特开2006-321216号公报

专利文献3：日本特开2009-130233号公报

专利文献4：日本特开2011-151361号公报

发明内容

发明要解决的课题

但是，由保护膜形成用膜形成芯片的保护膜的情况下，带有保护膜的芯片的可靠性差，例如在长期使用时，有时会发生保护膜从芯片上剥离等不良情况。因此，要求进一步提高使用保护膜形成用膜得到的带有保护膜的芯片的可靠性。

但是，为了提高可靠性而在专利文献1所公开的那样的单层结构的保护膜中改进其组成时，会产生热固化后保护膜的表面特性恶化，在进行激光打印时无法得到高的文字辨识性这样的其它问题。即，在单层结构的保护膜中，仅仅通过改进其组成难以兼备高的文字辨识性和高可靠性。另外，即使能够兼备两者，聚合物成分的选择余地也较小，保护膜形成膜的配合设计自由度明显受到限制。

另一方面，如专利文献2～4所公开的那样使保护膜形成用膜为由2层结构形成，与单层结构的保护膜形成用膜相比，设计自由度提高。但是，对于专利文献2～4而言，各层中含有的聚合物成分实际上只实施了相互间具有同样组成的丙烯酸类共聚物。像这样的2层共聚合物成分的组成相同时，难以谋求兼备高的文字辨识性和高可靠性。例如，在专利文献2中，由于作为各层的聚合物成分的丙烯酸橡胶的玻璃化转变温度低至-7℃，因此存在带有保护膜的芯片的可靠性变得不充分的担心。

本发明就是鉴于以上问题而进行的，其课题在于提供一种可使激光打印的辨识性良好、并且能够提高可靠性的带有保护膜的芯片。

解决问题的方法

为了解决上述课题，本发明人等反复进行了深入研究的结果发现，通过使保护膜形成用膜为2层结构，并且使一个树脂层中的丙烯酸类聚合物的组成为给定的组成且使玻璃化转变温度也为给定的范围，同时使另一树脂层中的聚合物成分与前一个树脂层中的聚合物成分不同，可以解决上述课题，从而完成了以下的本发明。

即，本发明提供以下的(1)～(6)。

(1)一种保护膜形成用膜，其用于形成保护半导体芯片的保护膜，

所述保护膜形成用膜由树脂层α和树脂层β叠层而成，所述树脂层α含有(A1)丙烯酸类聚合物和(B1)环氧类固化性成分，所述树脂层β含有(A2)聚合物、(B2)环氧类固化性成分、(D2)着色剂和(E2)填充材料，所述(A2)聚合物是不同于(A1)丙烯酸类聚合物的聚合物，

构成(A1)丙烯酸类聚合物的单体不含含有环氧基团的单体或者以全部单体的8质量％以下的比例包含含有环氧基团的单体，并且(A1)丙烯酸类聚合物的玻璃化转变温度为-3℃以上，

按照JIS Z 8741测定的所述树脂层β的表面固化后的光泽值为20以上。