[实用新型]硅通孔结构有效
| 申请号： | 201420291727.5 | 申请日： | 2014-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN203895439U | 公开（公告）日： | 2014-10-22 |
| 发明（设计）人： | 沈哲敏;李广宁 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅通孔 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅通孔结构，其特征在于，所述硅通孔结构包括：半导体衬底、硅通孔连线以及具有塑性变形能力的缓冲层，其中，所述硅通孔连线形成于所述半导体衬底内，所述缓冲层形成于所述硅通孔连线的表面，并暴露出一部分硅通孔连线。
2.如权利要求1所述的硅通孔结构，其特征在于，所述硅通孔结构还包括金属连线层，所述金属连线层形成于所述缓冲层、硅通孔连线和半导体衬底的表面。
3.如权利要求2所述的硅通孔结构，其特征在于，所述硅通孔结构还包括介质层，所述介质层形成于所述金属连线层的表面。
4.如权利要求1所述的硅通孔结构，其特征在于，所述缓冲层为圆柱体。
5.如权利要求4所述的硅通孔结构，其特征在于，所述缓冲层横截面的直径范围是3μm～5μm。
6.如权利要求4所述的硅通孔结构，其特征在于，所述缓冲层的厚度范围是1μm～2μm。
7.如权利要求1或3所述的硅通孔结构，其特征在于，所述缓冲层位于所述硅通孔连线的中心区域。
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