[发明专利]图像传感器器件及其制造方法和半导体器件制造方法

说明书

本发明公开了图像传感器器件及其制造方法以及半导体器件制造方法。在一些实施例中，制造半导体器件的方法包括将第一半导体晶圆接合至第二半导体晶圆，第一半导体晶圆包括衬底和连接至衬底的互连结构。该方法包括从第一半导体晶圆去除衬底的部分以暴露互连结构的部分。

相关申请的交叉引用

本申请与2013年3月15日提交的标题为“Interconnect Structure and Method”的以下共同代决和共同受让的专利申请第13/839,860号相关，其全部内容结合于此作为参考。

技术领域

本发明涉及集成电路器件，更具体地，涉及图像传感器器件及其制造方法和半导体器件制造方法。

背景技术

半导体器件用于各种电子应用中，作为实例，诸如个人计算机、手机、数码相机和其他电子设备。通常通过在半导体衬底上方依次沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层以及使用光刻图案化或加工衬底和/或各个材料层以在衬底和/或各个材料层上形成电路组件和元件来制造半导体器件。通常在单个半导体晶圆上制造数十或数百个集成电路。通过沿着划线锯切集成电路来分割单独的管芯。例如，然后将单独的管芯分别封装在多芯片模块、其他类型的封装中或者直接在最终应用中使用。

通常在半导体晶圆的前侧上形成集成电路管芯。集成电路管芯可以包括诸如晶体管、二极管、电阻器、电容器和其他器件的各种电子组件。集成电路管芯可以包括各种功能，诸如逻辑功能、存储功能、处理器和/或其他功能。

互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器(CIS)器件是在一些相机、手机和其他器件中用来采集图像的半导体器件。背照式(BSI)图像传感器是CIS器件，其中，光从衬底的背侧进入，而不是从前侧进入。在一些应用中，由于光的反射减少，BSI传感器能够比前照式图像传感器采集更多的图像信号。

发明内容

为了解决现有技术中存在的问题，本发明提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：将第一半导体晶圆接合至第二半导体晶圆，所述第一半导体晶圆包括衬底和连接至所述衬底的互连结构；以及从所述第一半导体晶圆去除所述衬底的部分以暴露所述互连结构的部分。

在上述方法中，其中，去除所述衬底的所述部分包括从所述互连结构的接触焊盘上方去除所述部分。

在上述方法中，其中，去除所述衬底的所述部分包括从所述互连结构的接触焊盘区上方去除所述部分。

在上述方法中，其中，去除所述衬底的所述部分包括从所述半导体器件的划线区上方去除所述部分。

在上述方法中，其中，所述衬底包括第一衬底，所述互连结构包括第一互连结构，所述第二半导体晶圆包括第二衬底和设置在所述第二衬底上方的第二互连结构，并且，将所述第一半导体晶圆接合至所述第二半导体晶圆包括将所述第一互连结构接合至所述第二互连结构。

在上述方法中，其中，所述第一半导体晶圆包括传感器芯片，所述传感器芯片包括设置在所述衬底中的像素阵列区。

在上述方法中，其中，所述第一半导体晶圆包括传感器芯片，所述传感器芯片包括设置在所述衬底中的像素阵列区，其中，所述第一半导体晶圆包括设置在所述像素阵列区上方的滤色镜材料、以及设置在所述滤色镜材料上方的透镜材料。

根据本发明的另一方面，提供了一种制造图像传感器器件的方法，所述方法包括：将第一半导体晶圆接合至第二半导体晶圆，所述第一半导体晶圆包括衬底和连接至所述衬底的互连结构；去除所述衬底的部分以暴露所述互连结构的部分；以及分割所述第一半导体晶圆和所述第二半导体晶圆以形成多个图像传感器器件。

在上述方法中，其中，去除所述衬底的部分包括：去除接近划线区的所述衬底的部分、从所述互连结构的接触焊盘上方去除所述衬底的部分、从所述互连结构的多个接触焊盘上方去除所述衬底的部分、从所述互连结构的接触焊盘区上方去除所述衬底的部分或它们的组合。