[发明专利]图像传感器器件及其制造方法和半导体器件制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

将第一半导体晶圆接合至第二半导体晶圆，所述第一半导体晶圆包括衬底和连接至所述衬底的互连结构；以及

从所述第一半导体晶圆去除所述衬底的部分以暴露所述互连结构的部分；

其中，去除所述衬底的所述部分包括从所述互连结构的接触焊盘上方去除所述部分，所述接触焊盘的顶面完全暴露于外部；

其中，所述衬底包括第一衬底，所述互连结构包括第一互连结构，所述第二半导体晶圆包括第二衬底和设置在所述第二衬底上方的第二互连结构，并且，将所述第一半导体晶圆接合至所述第二半导体晶圆包括将所述第一互连结构接合至所述第二互连结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，去除所述衬底的所述部分包括从所述互连结构的接触焊盘区上方去除所述部分。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，去除所述衬底的所述部分包括从所述半导体器件的划线区上方去除所述部分。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一半导体晶圆包括传感器芯片，所述传感器芯片包括设置在所述衬底中的像素阵列区。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第一半导体晶圆包括设置在所述像素阵列区上方的滤色镜材料、以及设置在所述滤色镜材料上方的透镜材料。

6.一种制造图像传感器器件的方法，所述方法包括：

将第一半导体晶圆接合至第二半导体晶圆，所述第一半导体晶圆包括衬底和连接至所述衬底的互连结构；

去除所述衬底的部分以暴露所述互连结构的部分；以及

分割所述第一半导体晶圆和所述第二半导体晶圆以形成多个图像传感器器件；

其中，去除所述衬底的所述部分包括从所述互连结构的接触焊盘上方去除所述部分，所述接触焊盘的顶面完全暴露于外部；

其中，所述衬底包括第一衬底，所述互连结构包括第一互连结构，所述第二半导体晶圆包括第二衬底和设置在所述第二衬底上方的第二互连结构，并且，将所述第一半导体晶圆接合至所述第二半导体晶圆包括将所述第一互连结构接合至所述第二互连结构。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，去除所述衬底的部分包括：去除接近划线区的所述衬底的部分、从所述互连结构的多个接触焊盘上方去除所述衬底的部分、从所述互连结构的接触焊盘区上方去除所述衬底的部分或它们的组合。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，将所述第一半导体晶圆接合至所述第二半导体晶圆包括电介质与电介质接合、金属与金属接合、金属与电介质接合或它们的组合。

9.根据权利要求6所述的方法，还包括：

在将所述第一半导体晶圆接合至所述第二半导体晶圆之前，使所述第一半导体晶圆反转。

10.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第二半导体晶圆包括形成在所述第二半导体晶圆中的多个通孔。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括将导电材料连接至所述第二半导体晶圆的所述多个通孔中的每个。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，连接所述导电材料包括连接焊料球、微凸块、可控塌陷芯片连接(C4)凸块或它们的组合。

13.一种图像传感器器件，包括：

第一半导体芯片，所述第一半导体芯片包括衬底和设置在所述衬底上方的互连结构；以及

第二半导体芯片，接合至所述第一半导体芯片，其中，暴露所述第一半导体芯片的所述互连结构的部分，所述互连结构的接触焊盘的顶面完全暴露于外部；

其中，所述衬底包括第一衬底，所述互连结构包括第一互连结构，所述第二半导体芯片包括连接至第二衬底的第二互连结构，所述第一半导体芯片的所述第一互连结构接合至所述第二半导体芯片的所述第二互连结构。