[发明专利]一种预置图形的二硫化钼纳米膜制备方法

权利要求书

1.一种预置图形的二硫化钼纳米膜制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)在衬底上进行预置图形；

(2)通过膜沉积的方法在预置图形的衬底上沉积一层钼源膜；

(3)使用酮类溶剂去除光刻胶；

(4)使用化学气相沉积法制备预置图形的二硫化钼膜。

2.根据权利要求1所述的一种预置图形的二硫化钼纳米膜制备方法，其特征在于，所述衬底为硅衬底、锗衬底、碳化硅衬底或蓝宝石衬底。

3.根据权利要求1所述的一种预置图形的二硫化钼纳米膜制备方法，其特征在于，预置图形过程采用紫外线曝光技术、离子束曝光技术、电子束曝光技术或纳米压印技术。

4.根据权利要求1所述的一种预置图形的二硫化钼纳米膜制备方法，其特征在于，制备钼源膜的钼源前驱体为金属钼或钼的氧化物。

5.根据权利要求1所述的一种预置图形的二硫化钼纳米膜制备方法，其特征在于，膜沉积过程采用磁控溅射、电子束蒸发或原子层沉积方法。

6.根据权利要求1所述的一种预置图形的二硫化钼纳米膜制备方法，其特征在于，所述钼源膜的厚度为0.25nm～10nm。

7.根据权利要求1所述的一种预置图形的二硫化钼纳米膜制备方法，其特征在于，所述酮类溶剂为丙酮。

8.根据权利要求1所述的一种预置图形的二硫化钼纳米膜制备方法，其特征在于，所述光刻胶为紫外线光刻胶和电子束曝光用胶中的一种或两种。

9.根据权利要求1所述的一种预置图形的二硫化钼纳米膜制备方法，其特征在于，制备二硫化钼膜所使用的硫源前驱体为硫单质或硫化氢气体。

10.根据权利要求1～9任意一项权利要求所述的一种预置图形的二硫化钼纳米膜制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)衬底清洗；

(2)使用匀胶机在衬底上旋涂一层光刻胶，使用相应图形的掩膜板对涂有光刻胶的衬底进行曝光、显影，将预置图形部位的光刻胶去除；

(3)在衬底上沉积一层钼源膜；

(4)使用酮类溶剂洗去光刻胶及图形边界外的钼源前驱体，衬底上只留下与所需图形相对应的钼源前驱体；

(5)使用化学气相沉积的方法，在700℃～900℃的条件下生成预置图形的二硫化钼纳米膜。