[发明专利]半导体器件结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201410747758.1 | 申请日： | 2014-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN105742350A | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种半导体器件结构，其特征在于，包括：
半导体衬底；
介质层，设置于所述半导体衬底之上；
金属结构，嵌入设置于所述介质层中，且所述金属结构的上表面与所述介质层的上表面齐平；
保护层，覆盖所述介质层的上表面；
保护薄膜，设置于所述金属结构与所述保护之间，以隔离所述金属结构和所述保护层；
其中，所述保护薄膜的材质为锰的化合物。
2.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述锰的化合物为十羰基二锰和/或甲基环戊二烯基三羰基锰。
3.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述保护薄膜的厚度为
4.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，采用自加热、等离子化学气相沉积、原子层沉积或化学方法制备所述保护薄膜。
5.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述金属结构的材质为铜。
6.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，还包括：
底部保护层，覆盖所述半导体衬底的上表面；
层间介质层，覆盖所述底部保护层的上表面，且所述介质层覆盖所述层间介质层的上表面。
7.一种制备半导体器件结构的方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一半导体衬底；
于所述半导体衬底之上制备一介质层后，刻蚀所述介质层至所述半导体衬底的表面，以形成凹槽；
制备金属层充满所述凹槽后，平坦化所述金属层至所述介质层的上表面，以形成上表面与所述介质层齐平的金属结构；
于所述金属结构的上表面形成一保护薄膜后，沉积保护层覆盖所述介质层和所述保护薄膜的上表面；
其中，所述保护薄膜的材质为锰的化合物。
8.根据权利要求7所述的制备半导体器件结构的方法，其特征在于，所述锰的化合物为十羰基二锰和/或甲基环戊二烯基三羰基锰。
9.根据权利要求7所述的制备半导体器件结构的方法，其特征在于，所述保护薄膜的厚度为
10.根据权利要求7所述的制备半导体器件结构的方法，其特征在于，采用自加热、等离子化学气相沉积、原子层沉积或化学方法制备所述保护薄膜。
11.根据权利要求7所述的制备半导体器件结构的方法，其特征在于，所述金属结构的材质为铜。
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