[发明专利]液晶面板及其制作方法在审
申请号: | 201410734669.3 | 申请日: | 2015-08-03 |
公开(公告)号: | CN104503150A | 公开(公告)日: | 2015-07-29 |
发明(设计)人: | 宋利旺;许勇 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1339 | 分类号: | G02F1/1339;G02F1/1333 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶面板 及其 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种液晶面板及其制作方法。
背景技术
随着显示技术的发展,液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点,而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品,成为显示装置中的主流。
现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示器,其包括液晶显示面板及背光模组(backlight module)。液晶显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子,两片玻璃基板中间有许多垂直和水平的细小电线,通过通电与否来控制液晶分子改变方向,将背光模组的光线折射出来产生画面。
通常液晶显示面板由彩膜基板(CF,Color Filter)、薄膜晶体管基板(TFT,Thin Film Transistor)、夹于彩膜基板与薄膜晶体管基板之间的液晶(LC,Liquid Crystal)及密封胶框(Sealant)组成,其成型工艺一般包括:前段阵列(Array)制程(薄膜、黄光、蚀刻及剥膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板与CF基板贴合)及后段模组组装制程(驱动IC与印刷电路板压合)。其中,前段Array制程主要是形成TFT基板,以便于控制液晶分子的运动;中段Cell制程主要是在TFT基板与CF基板之间添加液晶;后段模组组装制程主要是驱动IC压合与印刷电路板的整合,进而驱动液晶分子转动,显示图像。
主动矩阵式(Active Matrix,AM)液晶显示器是目前最常用的液晶显示器。AMLCD制作技术中采用在TFT阵列基板上制作彩色滤色膜的技术(Color Filter on Array,COA),可以提高液晶面板的开口率,降低寄生电容。由于在制作过程中采用了COA技术的关系,TFT阵列基板一侧较为平坦,可以将光阻间隙物(Photo Spacer,PS)制作于TFT阵列基板一侧,光阻间隙物位置固定于TFT阵列基板一侧,可以降低MM mura(画面错位、亮度不均匀的现象)发生概率,同时降低贴合制程中对上下基板的对位要求。
但是光阻间隙物形成于TFT阵列基板一侧,TFT阵列基板一侧会增加一道光刻(Photo)制程,造成Array制程时间拉长,降低生产效率。
请参阅图1,为一种COA型液晶面板,在TFT阵列基板一侧的制作过程中,依次在下基板上形成TFT层200、色阻层300、保护层400、像素电极层500以及光阻间隙物层600,上述制作方法由于增加了一道光阻间隙物层600的光刻制程,因此制程时间过长,生产效率较低。
发明内容
本发明的目的在于提供一种液晶面板,能够降低MM mura发生概率,降低贴合制程中对上下基板的对位要求。
本发明的目的还在于提供一种液晶面板的制作方法,能够简化制程,节省光罩,提高生产效率。
为实现上述目的,本发明提供了一种液晶面板,包括:第一基板、设于第一基板上的TFT层、设于TFT层上的色阻层、设于色阻层上的光阻间隙物层、设于色阻层和光阻间隙物层上的保护层、贯穿色阻层和保护层的过孔、形成于保护层上通过过孔与TFT层电性连接的像素电极层、以及与第一基板相对设置的第二基板,其中,所述光阻间隙物层与所述色阻层中的一种或者数种色阻的材料相同,并且所述光阻间隙物层与所述色阻层在制作过程中同时形成。
所述色阻层包括第一色阻、第二色阻和第三色阻,所述光阻间隙物层包括主要光阻间隙物和次要光阻间隙物,并且所述主要光阻间隙物的高度大于所述次要光阻间隙物的高度;所述次要光阻间隙物位于第一色阻上,所述主要光阻间隙物位于第二色阻上;所述次要光阻间隙物与第二色阻的材料相同,且二者在同一光罩制程中形成;所述主要光阻间隙物和第三色阻的材料相同,且二者在同一光罩制程中形成。
所述色阻层包括第一色阻、第二色阻和第三色阻,所述光阻间隙物层包括主要光阻间隙物和次要光阻间隙物,并且所述主要光阻间隙物的高度大于所述次要光阻间隙物的高度;所述主要光阻间隙物和次要光阻间隙物位于第一色阻上;所述主要光阻间隙物、次要光阻间隙物和第二色阻的材料相同,且三者在同一光罩制程中形成。
所述色阻层包括第一色阻、第二色阻和第三色阻,所述光阻间隙物层包括主要光阻间隙物和次要光阻间隙物,并且所述主要光阻间隙物的高度大于所述次要光阻间隙物的高度;所述次要光阻间隙物位于第一色阻上,所述主要光阻间隙物位于第二色阻上;所述主要光阻间隙物、次要光阻间隙物和第三色阻的材料相同,且三者在同一光罩制程中形成。
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