[发明专利]液晶面板及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201410734669.3 申请日: 2015-08-03
公开(公告)号: CN104503150A 公开(公告)日: 2015-07-29
发明(设计)人: 宋利旺;许勇 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1339 分类号: G02F1/1339;G02F1/1333
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 代理人: 林才桂
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 液晶面板 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种液晶面板,包括:第一基板(1)、设于第一基板(1)上的TFT层(2)、设于TFT层(2)上的色阻层(3)、设于色阻层(3)上的光阻间隙物层(4)、设于色阻层(3)和光阻间隙物层(4)上的保护层(5)、贯穿色阻层(3)和保护层(5)的过孔(6)、形成于保护层(5)上通过过孔(6)与TFT层(2)电性连接的像素电极层(7)、以及与第一基板(1)相对设置的第二基板(8),其特征在于,所述光阻间隙物层(4)与所述色阻层(3)中的一种或者数种色阻的材料相同,并且所述光阻间隙物层(4)与所述色阻层(3)在制作过程中同时形成。

2.如权利要求1所述的液晶面板,其特征在于,所述色阻层(3)包括第一色阻(31)、第二色阻(32)和第三色阻(33),所述光阻间隙物层(4)包括主要光阻间隙物(41)和次要光阻间隙物(42),并且所述主要光阻间隙物(41)的高度大于所述次要光阻间隙物(42)的高度,所述次要光阻间隙物(42)位于第一色阻(31)上,所述主要光阻间隙物(41)位于第二色阻(32)上;所述次要光阻间隙物(42)与第二色阻(32)的材料相同,且二者在同一光罩制程中形成;所述主要光阻间隙物(41)和第三色阻(33)的材料相同,且二者在同一光罩制程中形成。

3.如权利要求1所述的液晶面板,其特征在于,所述色阻层(3)包括第一色阻(31)、第二色阻(32)和第三色阻(33),所述光阻间隙物层(4)包括主要光阻间隙物(41)和次要光阻间隙物(42),并且所述主要光阻间隙物(41)的高度大于所述次要光阻间隙物(42)的高度,所述主要光阻间隙物(41)和次要光阻间隙物(42)位于第一色阻(31)上;所述主要光阻间隙物(41)、次要光阻间隙物(42)和第二色阻(32)的材料相同,且三者在同一光罩制程中形成。

4.如权利要求1所述的液晶面板,其特征在于,所述色阻层(3)包括第一色阻(31)、第二色阻(32)和第三色阻(33),所述光阻间隙物层(4)包括主要光阻间隙物(41)和次要光阻间隙物(42),并且所述主要光阻间隙物(41)的高度大于所述次要光阻间隙物(42)的高度,所述次要光阻间隙物(42)位于第一色阻(31)上,所述主要光阻间隙物(41)位于第二色阻(32)上;所述主要光阻间隙物(41)、次要光阻间隙物(42)和第三色阻(33)的材料相同,且三者在同一光罩制程中形成。

5.如权利要求1所述的液晶面板,其特征在于,所述色阻层(3)包括第一色阻、第二色阻、第三色阻和第四色阻,所述光阻间隙物层(4)包括主要光阻间隙物(41)和次要光阻间隙物(42),并且所述主要光阻间隙物(41)的高度大于所述次要光阻间隙物(42)的高度。

6.一种液晶面板的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤1、提供第一基板(1),在所述第一基板(1)上沉积TFT层(2);

步骤2、在所述TFT层(2)上形成色阻层(3)和光阻间隙物层(4),所述光阻间隙物层(4)位于所述色阻层(3)上方,且与所述色阻层(3)在制作过程中同时形成;

步骤3、在色阻层(3)和光阻间隙物层(4)上形成保护层(5),并在色阻层(3)和保护层(5)上通过干蚀刻或湿蚀刻工艺形成过孔(6);

步骤4、在所述保护层(5)上通过溅射工艺形成ITO薄膜,通过湿蚀刻工艺形成像素电极层(7),所述像素电极层(7)通过过孔(6)与TFT层(2)形成电性连接;

步骤5、提供第二基板(8),在所述第一基板(1)与第二基板(8)之间灌注液晶分子,并对所述第一基板(1)与第二基板(8)进行封装。

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