[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)显示装置因其具有自发光、反应速度快、对比度高、视角广等特点已成为下一代显示技术的主要发展方向。

AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，有源矩阵有机发光二极管)显示装置是OLED显示装置的一种重要结构形式，AMOLED显示装置包括阵列基板和封装基板，其中，阵列基板上形成有多个显示单元。如图1所示，显示单元包括开关薄膜晶体管3、驱动薄膜晶体管4以及OLED。其中，开关薄膜晶体管3的栅极G与栅线1电连接，漏极D与数据线2电连接，源极S与驱动薄膜晶体管4的栅极G电连接；驱动薄膜晶体管4的漏极D与V_dd线(电源信号线)电连接，源极S与OLED的阳极或阴极电连接。当栅线1、数据线2以及V_dd线同时加载电信号，驱动薄膜晶体管4的源极S驱动OLED发光。

在上述AMOLED显示装置中，如图2所示，有源层13一般采用电子迁移率更高的IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide，铟镓锌氧化物)形成，则一般还在有源层13上形成刻蚀阻挡层14，以阻止漏极17和源极18在被酸液湿刻时对有源层13的侵蚀。

具体的，如图2所示，开关薄膜晶体管3的漏极17和源极18通过第一过孔15与有源层13电连接，开关薄膜晶体管3的源极18通过第二过孔16与第一电极20电连接，第一电极20与驱动薄膜晶体管4的栅极11电连接。在制备过程中，第一过孔15和第二过孔16采用一道掩膜同时刻蚀形成，由于形成第一过孔15只需刻蚀一层即刻蚀阻挡层14，即可实现源极和漏极与有源层的电连接；形成第二过孔16需要刻蚀两层即刻蚀阻挡层14和栅极绝缘层12，则在刻蚀形成第二过孔16时，第一过孔15会出现过刻，即第一过孔15贯穿刻蚀阻挡层14以及栅绝缘层12，从而使得源极18和漏极17均与栅极11电连接，导致开关薄膜晶体管失效。

为了避免上述问题，现有技术中采用两道掩膜工序或者采用半色调掩膜和灰色调掩膜形成第一过孔和第二过孔。但采用两道掩膜工序增加了工艺的复杂性，提高了生产成本；采用半色调掩膜和灰色调掩膜虽然仅用了一道掩膜工序，但半色调掩膜板和灰色调掩膜板昂贵，同样提高了生产成本。

发明内容

本发明的实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，解决了现有技术中采用一道掩膜同时刻蚀形成第一过孔和第二过孔而导致第一过孔长时间过刻，使得薄膜晶体管失效的问题。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一方面，提供了一种阵列基板，包括：衬底以及形成在所述衬底上的开关薄膜晶体管和第一电极，所述开关薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、有源层、刻蚀阻挡层以及源极和漏极，其中，所述刻蚀阻挡层上形成有第一过孔，所述源极和所述漏极通过所述第一过孔与所述有源层电连接；所述刻蚀阻挡层和所述栅绝缘层覆盖所述第一电极，所述刻蚀阻挡层和所述栅绝缘层在对应第一电极的位置处形成有第二过孔，所述开关薄膜晶体管的源极通过所述第二过孔与所述第一电极电连接，所述第一过孔的最大孔径不大于所述第二过孔的最小孔径，其中，在所述第一过孔的最大孔径小于等于8μm的情况下，所述第二过孔的最小孔径与所述第一过孔的最大孔径的差不小于2μm；在所述第一过孔的最大孔径大于8μm且小于等于14μm的情况下，所述第二过孔的最小孔径与所述第一过孔的最大孔径的比值不小于1.3。

另一方面，提供了一种阵列基板的制备方法，包括：在衬底上形成开关薄膜晶体管和第一电极；其中，形成开关薄膜晶体管和第一电极具体包括：在衬底上形成栅极、第一电极、栅绝缘层、有源层以及刻蚀阻挡层，其中，所述刻蚀阻挡层和所述栅绝缘层覆盖所述第一电极；在衬底上形成第一过孔和第二过孔，其中，所述第一过孔形成在对应有源层的位置处，贯穿刻蚀阻挡层；第二过孔形成在对应第一电极的位置处，贯穿刻蚀阻挡层和栅绝缘层；在衬底上形成源极和漏极，其中，所述源极和所述漏极通过所述第一过孔与所述有源层电连接，所述开关薄膜晶体管的源极通过所述第二过孔与所述第一电极电连接；所述第一过孔的最大孔径不大于所述第二过孔的最小孔径，其中，在所述第一过孔的最大孔径小于等于8μm的情况下，所述第二过孔的最小孔径与所述第一过孔的最大孔径的差不小于2μm；