[发明专利]进气系统及半导体加工设备

权利要求书

1.一种进气系统，包括用于输送非饱和蒸汽气体的第一气路、 用于输送饱和蒸汽气体的第二气路以及与反应腔室连接的第三气路， 其特征在于，还包括缓冲容器，所述缓冲容器包括多个进气口和一个 出气口，所述多个进气口均位于所述缓冲容器的同一侧，所述出气口 位于所述缓冲容器与各个进气口所在一侧相对的另一侧；并且，所述 缓冲容器的直径大于各个进气口的直径；

所述第一气路和第二气路相互平行，并一一对应地与各个进气 口连接；所述第三气路与所述出气口连接。

2.根据权利要求1所述的进气系统，其特征在于，所述多个进 气口相对于所述缓冲容器的轴向中心线对称分布。

3.根据权利要求2所述的进气系统，其特征在于，各个进气口 的轴向中心线与所述缓冲容器的轴向中心线之间的径向距离为所述 缓冲容器半径的二分之一或者三分之一或者三分之二。

4.根据权利要求1所述的进气系统，其特征在于，所述缓冲容 器的直径与每个所述进气口的直径之间的比例的取值范围在 5:1～20:1。

5.根据权利要求1所述的进气系统，其特征在于，所述缓冲容 器的轴向长度与其直径之间的比例的取值范围在1:1～3:1。

6.根据权利要求1-5任意一项所述的进气系统，其特征在于， 所述第二气路的数量为一路或相互平行的多路，多路所述第二气路用 于分别输送不同的饱和蒸汽气体；

所述第一气路和各路第二气路相对于所述缓冲容器的轴线对称 分布。

7.根据权利要求1所述的进气系统，其特征在于，所述第三气 路的长度的取值范围在0.5～2m。

8.根据权利要求1所述的进气系统，其特征在于，在所述第一 气路、第二气路、缓冲容器和第三气路上分别设置压力显示装置。

9.一种半导体加工设备，包括工艺腔室和用于向所述工艺腔室 提供工艺气体的进气系统，其特征在于，所述进气系统采用权利要求 1-8任意一项所述的进气系统。