[发明专利]互连结构及其制作方法

权利要求书

1.一种互连结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成层间介质层；

对所述层间介质层的表面进行第一等离子体处理；

在第一等离子体处理的步骤之后，刻蚀所述层间介质层以在所述层间介质层中形成通孔；

在通孔中填充金属以形成导电插塞；

其中，所述层间介质层为具有多孔结构的层间介质层；

所述形成层间介质层的步骤包括：

将致孔材料与致孔剂一同沉积于所述衬底上，以形成一材料层；

采用紫外光照射所述材料层，使致孔剂形成液体或者气体排出所述材料层，进而形成所述具有多孔结构的层间介质层；

在紫外光照射之后，所述层间介质层的表面还形成有二氧化硅层；

所述第一等离子体处理的步骤包括：采用等离子去除所述二氧化硅层。

2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，第一等离子体处理的步骤包括：

采用氢离子进行所述第一等离子体处理。

3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，第一等离子体处理的步骤包括：采用氢气进行所述第一等离子体处理，使第一等离子体处理设备的功率在50～5000瓦的范围内，氢气的流量在100～3000标况毫升每分的范围内，等离子体处理的压强在0.001～10托的范围内。

4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在第一等离子体处理的步骤之后，形成通孔的步骤之前，所述制作方法还包括：

采用含碳气体对所述层间介质层表面进行第二等离子体处理，使所述层间介质层表面的碳含量增加，进而形成一含碳量高于所述层间介质层含碳量的富碳材料层。

5.如权利要求4所述的制作方法，其特征在于，采用的含碳气体包括甲烷。

6.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，进行第二等离子体处理的步骤中，还采用氮气作为甲烷的载气，甲烷与氮气的比率在0.1：100～100：0.1的范围内。

7.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于，对所述层间介质层表面进行第二等离子体处理的步骤包括：使第二等离子体处理设备的功率在50～5000瓦的范围内，甲烷和氮气的流量在100～3000标况毫升每分的范围内，第二等离子体处理的压强在0.001～10托的范围内。

8.如权利要求4所述的制作方法，其特征在于，形成含碳氧化硅材料的层间介质层；

采用含碳气体对层间介质层表面进行第二等离子体处理的步骤包括：在所述含碳氧化硅材料的层间介质层表面形成掺碳的氮化硅层。

9.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成通孔的步骤包括：

采用氢氟酸溶液刻蚀所述层间介质层，以形成所述通孔。

10.一种互连结构，其特征在于，采用如权利要求1所述的互连结构的制作方法来形成所述互连结构，所述互连结构包括：

衬底；

形成于所述衬底上的层间介质层，所述层间介质层的表面具有一含碳量高于所述层间介质层含碳量的富碳材料层；

形成于所述层间介质层以及富碳材料层中的插塞；

其中，所述层间介质层为具有多孔结构的层间介质层；

所述形成层间介质层的步骤包括：

将致孔材料与致孔剂一同沉积于所述衬底上，以形成一材料层；

采用紫外光照射所述材料层，使致孔剂形成液体或者气体排出所述材料层，进而形成所述具有多孔结构的层间介质层；

在紫外光照射之后，所述层间介质层的表面还形成有二氧化硅层；

所述第一等离子体处理的步骤包括：采用等离子去除所述二氧化硅层。

11.如权利要求10所述的互连结构，其特征在于，所述层间介质层的材料为含碳氧化硅；

所述富碳材料层的材料为掺碳的氮化硅。