[发明专利]一种LED结构及其制备方法

权利要求书

1.一种LED结构，包括：

衬底；

位于所述衬底之上的第一半导体层；

位于所述第一半导体层之上的发光层；

位于所述发光层之上的第二半导体层；

位于所述半导体层上的电极，由主体和延伸部所组成，

其特征在于：所述电极延伸部与所接触半导体层表面呈一定夹角，并以半包覆的形状将电极主体与射向其上表面、侧面的光线隔开。

2.根据权利要求1所述的一种LED结构，其特征在于：所述电极的主体为多层结构，其底层由反射金属组成，用于反射发光层射向电极下表面的光线；其顶层由电迁移惰性的金属组成，用于保护其下表面的反射金属，防止其在导电过程中发生电迁移的风险。

3.根据权利要求1所述的一种LED结构，其特征在于：所述电极的延伸部，其靠近电极主体的表面由电迁移惰性的金属组成，其远离电极主体的外侧面由反射金属组成，用于反射射向电极主体上表面和侧面的光线。

4.根据权利要求1所述的一种LED结构，其特征在于：所述电极延伸部的高度不低于其电极主体的高度。

5.根据权利要求1所述的一种LED结构，其特征在于：所述电极延伸部与所接触半导体层表面呈直角、钝角和锐角中的一种或其组合。

6.根据权利要求1所述的一种LED结构，其特征在于：所述电极延伸部的表面是规则的平面或不规则的平面的一种或其组合。

7.根据权利要求1所述的一种LED结构，其特征在于：所述LED结构还包含电极区域以外的光转换材料。

8.一种LED结构的制备方法，包括：

a）提供一LED晶片，其包括用于支撑保护LED的衬底，位于所述衬底之上的第一半导体层，位于所述第一半导体层之上的发光层，位于所述发光层之上的第二半导体层；

b）将所述第二半导体层上表面划分为电极区域和非电极区域，在所述非电极区域上形成屏蔽层；

c）在LED晶片上沉积电极层，其沉积的方向与LED晶片表面有一定角度，使得邻接电极区域的屏蔽层侧壁也被镀上电极层；

d）去除屏蔽层和位于其上的电极层，留下电极区域及屏蔽层侧壁的电极层，其中电极区域的电极层为电极主体，屏蔽层侧壁的电极层为电极延伸部。

9.根据权利要求8所述的一种LED结构的制备方法，其特征在于：所述沉积的方向与LED晶片表面的角度θ的取值范围为：0°＜θ＜90°。

10.根据权利要求8所述的一种LED结构的制备方法，其特征在于：所述沉积的方向与LED晶片表面的角度θ的取值范围为：30°≤θ≤80°。

11.根据权利要求8所述的一种LED结构的制备方法，其特征在于：所述沉积的电极层为多层结构，最先沉积的金属层由反射金属组成。

12.根据权利要求8所述的一种LED结构的制备方法，其特征在于：所述沉积的电极层为多层结构，最后沉积的金属层由电迁移惰性的金属组成。

13.根据权利要求8所述的一种LED结构的制备方法，其特征在于：制备完所述电极后，该制备方法还包含在电极其余区域沉积光转换材料。

14.一种LED结构的制备方法，包括：

a）提供一LED晶片，其包括用于支撑保护LED的衬底，位于所述衬底之上的第一半导体层，位于所述第一半导体层之上的发光层，位于所述发光层之上的第二半导体层；

b）将所述第二半导体层上表面划分为电极区域和非电极区域，在所述非电极区域形成光转换层；

c）在所述光转换层上形成屏蔽层，露出电极区域；

d）在LED晶片上沉积电极层，沉积的方向与LED晶片表面有一定角度，使得邻接电极区域的光转换层侧壁也被镀上电极层；

e）去除屏蔽层和位于其上的电极层，留下电极区域及光转换层侧壁的电极层，其中电极区域的电极层为电极主体，光转换层侧壁的电极层为电极延伸部。

15.根据权利要求14所述的一种LED结构的制备方法，其特征在于：所述沉积的方向与LED晶片表面的角度θ的取值范围为：0°＜θ＜90°。

16.根据权利要求14所述的一种LED结构的制备方法，其特征在于：所述沉积的方向与LED晶片表面的角度θ的取值范围为：30°≤θ≤80°。