[发明专利]自对准接触制造方法

权利要求书

1.一种自对准接触制造方法，包括：

在衬底上的第一层间介质层中形成栅极开口，栅极开口的侧壁具有栅极侧墙；

在栅极开口中形成金属栅极，与第一层间介质层顶部齐平；

在金属栅极以及第一层间介质层上形成第二层间介质层，第二层间介质层直接接触金属栅极和第一层间介质层的顶部；

在第二层间介质层上形成位于金属栅极上方的掩模图形，垂直于衬底方向上掩模图形的侧壁与栅极侧墙的外侧壁齐平；

以掩模图形为掩模，依次刻蚀第二层间介质层和第一层间介质层，直至暴露器件的源漏极区域，形成直接暴露栅极侧墙侧壁的自对准的源漏接触孔，掩模图形、第二层间介质层、栅极侧墙三者外侧壁齐平。

2.如权利要求1所述的方法，其中，形成栅极开口的步骤进一步包括：在衬底上形成假栅极堆叠；在假栅极堆叠两侧衬底中形成源漏极；在衬底上形成覆盖了假栅极堆叠的第一层间介质层；平坦化层间介质层直至暴露假栅极堆叠；选择性刻蚀去除假栅极堆叠，在第一层间介质层中留下栅极开口。

3.如权利要求1所述的方法，其中，第二层间介质层的材料与第一层间介质层的材料不同。

4.如权利要求1所述的方法，其中，第二层间介质层和/或栅极侧墙的致密性大于第一层间介质层。

5.如权利要求1所述的方法，其中，第二层间介质层的厚度小于金属栅极的高度。

6.如权利要求1所述的方法，其中，掩模图形的宽度等于或者接近于栅极侧墙宽度的两倍与金属栅极的宽度之和。

7.如权利要求1所述的方法，其中，刻蚀为一步刻蚀或两步刻蚀；或者刻蚀为干法刻蚀、湿法刻蚀及其组合。

8.如权利要求1所述的方法，其中，掩模图形为光刻胶、氧化硅、或ONO结构。