[发明专利]一种显示基板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 201410498581.6 | 申请日: | 2014-09-25 |
公开(公告)号: | CN104299973A | 公开(公告)日: | 2015-01-21 |
发明(设计)人: | 舒适;谷敬霞 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体地,涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
量子点半导体显示是极具潜力的未来显示技术。通过控制量子点半导体材料的粒径,可以调节禁带宽度,从而达到控制发光颜色的目的。量子点具有主动发光、响应速度快、色纯度极高等特点,使得其预计的显示效果远超液晶显示方式。目前限制量子点彩色显示发展的主要原因有两个:一是量子点难以的图案化,二是量子点会产生色偏移。
由于量子点并不是小分子有机材料,因为目前没有适合量产的图案化手段。由于量子点层很薄,常用的黄光工艺会使用光刻胶、显影液、剥离液,会严重破坏量子点层。
同时,也无法通过蒸镀方式和喷墨方式进行图案化;目前行业普遍接受的方法是转印法,但该方法很不成熟,工艺难度极大,目前均未量产,另外转印设备的供应商也很少,因此制约量子点半导体显示的发展。
显示基板包括衬底基板和形成于所述衬底基板上的多个像素单元,所述的每个像素单元包括用于彩色显示的不同颜色的多个子像素单元。在选用不同量子点材料进行彩色显示时(例如,一个像素单元包括RGB三子像素单元),由于不同发光材料的效率衰减不同步,随着使用的时间延长会导致画面颜色偏移。
发明内容
本发明的目的是解决现有技术存在的量子点半导体显示存在的量子点难以图案化和不同量子点发光材料由于效率衰减不同导致的画面颜色偏移的问题,提供一种显示基板及其制备方法、显示装置。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示基板,包括衬底基板和形成于所述衬底基板上的多个像素单元,所述的每个像素单元包括多个子像素单元;
在所述各子像素单元包括远离衬底基板一侧的量子点发光器件;
所述量子点发光器件包括量子点发光层,多个所述子像素单元对应的所述量子点发光层同层一体设置;
所述子像素单元包括色光波长大于量子点发光层的色光波长的第一类子像素单元;
所述第一类子像素单元包括与量子点发光器件对应的靠近衬底基板一侧的光转化结构,所述的光转化结构用于将量子点发光器件发出的色光转化为各所述第一类子像素单元对应的色光。
优选的是,所述子像素单元还包括色光波长等于量子点发光层的色光波长的第二类子像素单元。
优选的是,所述第一类子像素单元和第二类子像素单元包括设置与所述量子点发光器件对应的靠近衬底基板一侧的透明平坦化层。
优选的是,所述的光转化结构包括对应所述第一类子像素单元色光的色光转换层、色光滤光层,用于将量子点发光器件发出的色光经过所述色光转换层、所述色光滤光层后转化成与所述第一类子像素单元色光对应的色光。
优选的是,所述各子像素单元包括像素界定区域和位于所述像素界定区域之间的透光区域;
与所述各子像素单元的像素界定区域对应的靠近衬底基板一侧包括薄膜晶体管,所述薄膜晶体管用于各子像素单元的控制量子点发光器件发光。
优选的是,所述的量子点发光器件为蓝色量子点发光器件;所述蓝色量子点发光器件包括阴极、电子注入层、蓝色量子点层、空穴注入层、阳极;所述的阳极与所述薄膜晶体管的漏极电连接。
优选的是,所述的第二类子像素单元为蓝色子像素单元、第一类子像素单元包括绿色子像素单元和红色子像素单元。
优选的是,所述蓝色子像素单元包括与量子点发光器件对应的靠近衬底基板一侧的透明平坦化层;所述绿色子像素单元的光转化结构包括绿色转换层、绿色滤光层;所述红色子像素单元的光转化结构包括红色转换层、红色滤光层。
优选的是,所述的蓝色量子点层的厚度为10-100nm;所述的蓝色量子点层采用的蓝色量子点材料的粒径为1-10nm;所述蓝色量子点材料包括CdS或CdSn。
优选的是,所述红色转换层的材料包括SrS:Eu、CaS:Eu或SrxCa1-xS:Eu,其中,0≤x≤1;所述绿色转换层的材料包括SrGa2S4或YAG:Ce。
优选的是,所述红色转换层和绿色转换层的厚度为1-10 um。
本发明的另一个目的是提供一种显示基板的制作方法,包括以下步骤:
在形成有薄膜晶体管阵列的衬底基板上形成与第一类子像素单元对应的光转化结构;
在形成该光转化结构的衬底基板上形成量子点发光器件,所述量子点发光器件包括对应多个子像素单元的同层一体形成的量子点层;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的