[发明专利]相移掩膜板及其制作方法、阵列基板及其制作方法

说明书

本发明提供了一种相移掩膜板及其制作方法、阵列基板及其制作方法，属于显示领域。其中，该相移掩模板，用于制作阵列基板像素区和扇出区的信号线，所述相移掩膜板包括依次排布、与阵列基板上的多条信号线一一对应的多个遮光图案，每一遮光图案包括有至少对应于像素区信号线的第一遮光图案和除所述第一遮光图案之外的第二遮光图案，其中，在利用所述相移掩膜板进行曝光时，相邻第一遮光图案之间的第一区域下方的光刻胶接受到的光强小于相邻第二遮光图案之间的第二区域下方的光刻胶接受到的光强。本发明的技术方案能够减少像素区的信号线和扇出区的信号线之间的线宽差异。

技术领域

本发明涉及显示领域，特别是指一种相移掩膜板及其制作方法、阵列基板及其制作方法。

背景技术

掩模板(mask)又称光掩模或光罩，是连接设计端与工艺制造端的纽带和桥梁。随着设计技术与制造工艺的进步，目前出现了相移掩模板，相移掩模板即在衬底上方形成图案的同时，还形成相移层区和非相移层区，在利用相移掩模板进行曝光工艺时，通过相移层区的光线会产生180°的相位改变，从而达到更好的控制图案关键尺寸(CD)的目的。

未来平板显示的技术发展趋势之一就是高分辨率的实现，为了这个目标，边缘相移掩模板作为一种重要的提高高分辨率的技术，也应用于薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)阵列基板的制备中。如图1A和图1B所示，现有技术中常用的边缘相移掩模板的结构为：在具有较稳定的热光电性能的衬底1上通过一定的工艺形成图案，通常采用石英等透明介质作为衬底1；在衬底1上方通过图案材料的沉积、光刻，显影，刻蚀，剥离等工序形成透过率低(8％左右)的具有图案的相移层2，通常相移层使用光透过率低且能使光线的相位反转180°±10°的材料；在相移层2上通过图案材料的沉积、光刻，显影，刻蚀，剥离等工序形成不透光的遮光层3，由图1B可以看出，遮光层3位于相移层2之上，且遮光层3的宽度小于对应相移层2的宽度，通常遮光层采用铬来制作。使用该边缘相移掩模板可以将图案投影在基板上，从而在基板上方完成薄膜晶体管阵列基板的各构成层的图形的转印，进而制备完成薄膜晶体管阵列基板。通过边缘相移掩模板的相移层区的光线的相位发生了反转(180°)，而通过非相移层区的光线的相位保持不改变。边缘相移掩模板中，由于相消干涉(即光的干涉被破坏)，因此能提高采用相移掩模板图案形成的图形的分辨率。

在应用边缘相移掩膜板制作阵列基板像素区和扇出区的信号线之后，如图2所示，发现在相移掩膜板上同样的图案，光刻工艺后形成在像素区的信号线的线宽比形成在扇出区的信号线的线宽要窄，彼此之间的差异能达到2-3um。导致这种不良的原因有：(1)从布局上看，像素区的信号线走线比较稀疏，而扇出区的信号线走线比较稠密。在形成信号线时，是对信号线之间的光刻胶进行曝光，而对信号线上的光刻胶不进行曝光，以正性光刻胶为例，受到曝光的光刻胶变性而被显影掉。这样在显影时，由于扇出区的信号线走线十分稠密所以信号线之间的光刻胶较难被显影掉，使得扇出区信号线的宽度比较大；(2)从光强分布来看，扇出区的信号线走线十分稠密，对光强的影响较大，因此，扇出区的信号线之间的光刻胶接受到的光强就比较弱，以正性光刻胶为例，受到曝光被显影掉掉的光刻胶比较少，进一步使得扇出区信号线的宽度比较大。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种相移掩膜板及其制作方法、阵列基板及其制作方法，能够减少像素区的信号线和扇出区的信号线之间的线宽差异。

为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：

一方面，提供一种相移掩模板，用于制作阵列基板像素区和扇出区的信号线，所述相移掩膜板包括依次排布、与阵列基板上的多条信号线一一对应的多个遮光图案，每一遮光图案包括有至少对应于像素区信号线的第一遮光图案和除所述第一遮光图案之外的第二遮光图案，其中，在利用所述相移掩膜板进行曝光时，相邻第一遮光图案之间的第一区域下方的光刻胶接受到的光强小于相邻第二遮光图案之间的第二区域下方的光刻胶接受到的光强。