[发明专利]相移掩膜板及其制作方法、阵列基板及其制作方法有效
| 申请号: | 201410480083.9 | 申请日: | 2014-09-18 |
| 公开(公告)号: | CN104252098B | 公开(公告)日: | 2019-03-01 |
| 发明(设计)人: | 黎午升 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | G03F1/26 | 分类号: | G03F1/26 |
| 代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;黄灿 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 相移 掩膜板 及其 制作方法 阵列 | ||
1.一种相移掩模板,用于制作阵列基板像素区和扇出区的信号线,其特征在于,所述相移掩膜板包括依次排布、与阵列基板上的多条信号线一一对应的多个遮光图案,每一遮光图案包括有至少对应于像素区信号线的第一遮光图案和除所述第一遮光图案之外的第二遮光图案,其中,在利用所述相移掩膜板进行曝光时,相邻第一遮光图案之间的第一区域下方的光刻胶接受到的光强小于相邻第二遮光图案之间的第二区域下方的光刻胶接受到的光强;所述第一遮光图案由位于衬底上的相移层形成,所述第二遮光图案由位于衬底上的相移层和位于相移层上的不透光层形成。
2.根据权利要求1所述的相移掩模板,其特征在于,所述不透光层的材料为铬。
3.根据权利要求2所述的相移掩模板,其特征在于,所述第一遮光图案对应于像素区的信号线,所述第二遮光图案对应于扇出区的信号线。
4.根据权利要求2所述的相移掩模板,其特征在于,每一信号线包括有位于像素区的第一走线和与所述第一走线连接、位于扇出区的第二走线,以第n+1条信号线的第一走线和第二走线所成角的平分线为界,将第n条信号线划分为像素区侧的第一部分和扇出区的第二部分,所述第一遮光图案对应于信号线的所述第一部分,所述第二遮光图案对应于信号线的所述第二部分,其中,所述第n+1条信号线位于所述第n条信号线的第一方向上,所述第一方向为扇形区信号线由疏到密的方向。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的相移掩模板,其特征在于,所述信号线包括数据线和栅线。
6.一种如权利要求1-5中任一项所述相移掩模板的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:
提供一衬底;
在所述衬底上形成依次排布、与阵列基板上的多条信号线一一对应的多个遮光图案,每一遮光图案包括有至少对应于像素区信号线的第一遮光图案和除所述第一遮光图案之外的第二遮光图案,其中,在利用所述相移掩膜板进行曝光时,相邻第一遮光图案之间的第一区域下方的光刻胶接受到的光强小于相邻第二遮光图案之间的第二区域下方的光刻胶接受到的光强;
所述在所述衬底上形成依次排布、与阵列基板上的多条信号线一一对应的多个遮光图案包括:
在所述衬底上依次形成相移层和不透光层,并在所述不透光层上涂覆光刻胶;
显影后去除所述遮光图案区域外的光刻胶;
通过干刻工艺刻蚀掉所述遮光图案区域外的相移层和不透光层;
通过湿刻工艺对剩余的不透光层进行刻蚀减薄;
去除剩余的光刻胶;
在经过上述步骤的衬底上涂覆光刻胶;
显影后去除第一遮光图案区域的光刻胶;
通过干刻工艺刻蚀掉所述第一遮光图案区域的不透光层;
去除剩余的光刻胶。
7.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:
形成导电层;
在所述导电层上涂覆光刻胶;
使用如权利要求1-5中任一项所述的相移掩膜板对所述光刻胶进行曝光,显影后形成对应于所述遮光图案的光刻胶保留区域;
通过刻蚀工艺形成像素区的信号线和扇出区的信号线;
去除剩余的光刻胶。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备





