[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示装置)最为一种平板显示装置，因其具有体积小、功耗低、无辐射以及制作成本相对较低等特点，而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。

TFT-LCD，如图1a所示，包括阵列基板10和彩膜基板20，在阵列基板10和彩膜基板20之间设置有液晶层。通过向阵列基板10输入控制信号以控制液晶层的偏转来调节穿过液晶层的光线的透射率，最终获得预期的显示图像。

如图1b所示，阵列基板10可以包括在显示区域A内设置的多条纵向顺序排列的数据线101。为了对阵列基板10的制作过程中出现的不良，例如短路缺陷进行检出，在显示区域A的周边区域(非显示区域)中设置有与数据线101相连接的引线112，通过引线112向数据线101输入检测信号，以对数据线101出现的短路不良进行检出。为了简化制作工艺，并降低引线112与数据线101之间的电阻，一般构成引线112材料可以采用构成数据线101的源漏极金属层构成。

进一步地为了简化制作工艺，在制备上述阵列基板10的过程中，一般采用含有半透膜的掩膜板通过一次构图工艺(包括一次曝光工艺、灰化工艺以及多次刻蚀工艺)形成数据线101、半导体有源层102、源极103、漏极104以及引线112的图案。由于含有半透膜的掩膜板能够形成不同厚度的光刻胶，在对厚度较薄的光刻胶进行灰化，对厚度较厚的光刻胶进行减薄的同时，会将厚度较厚的光刻胶的边缘也灰化掉，这样数据线101的线宽会减小。然而由于构成数据线101的源漏金属层的下方还具有半导体有源层，在对对应灰化掉光刻胶区域的源漏金属层进行刻蚀时，会露出数据线101图案边缘的半导体有源层，使得原本减小的数据线101的线宽被露出的半导体有源层放大。这样一来，为了满足显示装置窄边框的发展趋势，在空间较小的非显示区域对上述引线112进行布线时，如果采用上述含有半透膜的掩膜板的制作工艺，形成的引线112会受到线宽的制约而不能在较小的空间内完成布线，否则可能会由于相邻两条引线112的距离太近而增大短路不良发生的概率，从而对显示装置的质量造成不利的影响。

发明内容

本发明的实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，在有限的布线空间内减小相邻两条引线之间的线间距时，能够避免引线间的短路不良。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

本发明实施例的一方面，提供一种阵列基板，包括位于显示区域的多条横纵交叉的栅线和数据线，还包括位于非显示区域的第一短接环或第二短接环，以及分别与所述第一短接环、所述第二短接环电连接的第一数据引线、第二数据引线；

所述第一数据引线与所述栅线同层同材料设置，用于将所述第一短接环与第一列所述数据线电连接；

所述第二数据引线与所述数据线同层同材料设置，用于将所述第二短接环与第二列所述数据线电连接；

其中，所述第一列数据线与所述第二列数据线间隔设置。

本发明实施例的另一方面，提供一种显示装置，包括如上所述的任意一种阵列基板。

本发明实施例的有一方面，提供一种阵列基板的制备方法，包括：

在非显示区域形成第一短接环和第二短接环；

在衬底基板上形成栅极金属层，通过一次构图工艺形成栅线、第一数据引线的图案；

在形成有上述结构的基板表面形成栅极绝缘层、半导体有源层、源漏金属层，通过一次构图工艺形成数据线、第二数据引线的图案；

其中，所述第一列数据线与所述第二列数据线间隔设置；

将所述第一短接环与所述第一数据引线电连接，第一列所述数据线与所述第一数据引线电连接；

将所述第二短接环与所述第二数据引线电连接。