[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201410443430.0 | 申请日: | 2014-09-02 |
公开(公告)号: | CN104218042B | 公开(公告)日: | 2017-06-09 |
发明(设计)人: | 蔡振飞;陈正伟;宋星星 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/50;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 230011 安徽省合肥*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括位于显示区域的多条横纵交叉的栅线和数据线,其特征在于,还包括位于非显示区域的第一短接环或第二短接环,以及分别与所述第一短接环、所述第二短接环电连接的第一数据引线、第二数据引线;
所述第一数据引线与所述栅线同层同材料设置,用于将所述第一短接环与第一列数据线电连接;
所述第二数据引线与所述数据线同层同材料设置,用于将所述第二短接环与第二列数据线电连接;
其中,所述第一列数据线与所述第二列数据线间隔设置;
所述第一短接环与所述栅线同层同材料设置;所述第二短接环与所述数据线同层同材料设置。
2.一种阵列基板,包括位于显示区域的多条横纵交叉的栅线和数据线,其特征在于,还包括位于非显示区域的第一短接环或第二短接环,以及分别与所述第一短接环、所述第二短接环电连接的第一数据引线、第二数据引线;
所述第一数据引线与所述栅线同层同材料设置,用于将所述第一短接环与第一列数据线电连接;
所述第二数据引线与所述数据线同层同材料设置,用于将所述第二短接环与第二列数据线电连接;
其中,所述第一列数据线与所述第二列数据线间隔设置;
所述第一短接环和所述第二短接环与所述栅线同层同材料设置;
或,
所述第一短接环和所述第二短接环与所述数据线同层同材料设置。
3.根据权利要求1-2任一项所述的阵列基板,其特征在于,在设置有所述数据线的基板表面设置有钝化层的情况下,所述阵列基板还包括:
位于所述钝化层表面对应所述第一数据引线位置的第一过孔;
位于所述钝化层表面对应所述第一列数据线位置的第二过孔;
以及位于所述第一过孔、所述第二过孔表面用于将所述第一数据引线与所述第一列数据线相连接的连接线。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,还包括位于所述钝化层表面的透明电极层,所述连接线与所述透明电极层同层同材料。
5.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-4任一项所述的阵列基板。
6.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括:
在衬底基板上形成栅极金属层,通过一次构图工艺形成栅线、第一数据引线,以及第一短接环的图案;
在形成有上述结构的基板表面形成栅极绝缘层、半导体有源层、源漏金属层,通过一次构图工艺形成数据线、第二数据引线,以及第二短接环的图案;
其中,第一列数据线与第二列数据线间隔设置;
将所述第一短接环与所述第一数据引线电连接,所述第一列数据线与所述第一数据引线电连接;
将所述第二短接环与所述第二数据引线电连接。
7.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括:
在衬底基板上形成栅极金属层,通过一次构图工艺形成栅线、第一数据引线,以及第一短接环和第二短接环的图案;
或,
在形成有栅线、第一数据引线的图案的基板表面形成栅极绝缘层、半导体有源层、源漏金属层,通过一次构图工艺形成数据线、第二数据引线,以及第一短接环和第二短接环的图案;
其中,第一列数据线与第二列数据线间隔设置;
将所述第一短接环与所述第一数据引线电连接,所述第一列数据线与所述第一数据引线电连接;
将所述第二短接环与所述第二数据引线电连接。
8.根据权利要求6至7任一项所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,所述第一列所述数据线与所述第一数据引线电连接的方法包括:
在形成有所述数据线、所述第二数据引线的基板表面形成钝化层;
在所述钝化层的表面对应所述第一数据引线位置的形成第一过孔;
在所述钝化层的表面对应所述第一列数据线位置的形成第二过孔;
在所述第一过孔和所述第二过孔的表面形成用于将所述第一数据引线与所述第一列数据线相连接的连接线。
9.根据权利要求8所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,所述在所述第一过孔和所述第二过孔的表面形成用于将所述第一数据引线与所述第一列数据线相连接的连接线的方法包括:
在所述钝化层表面形成透明电极层,通过一次构图工艺形成所述连接线与所述透明电极层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的