[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底内形成有通孔；

在所述基底表面、通孔底部和侧壁表面形成金属层；

提供光刻处理腔室，所述光刻处理腔室内的压强与光刻处理腔室外的压强具有压强差；

在所述光刻处理腔室内，采用压强差光刻工艺在部分金属层表面形成光刻胶层，所述光刻胶层封闭所述通孔，且所述通孔内具有气体；

以所述光刻胶层为掩膜，刻蚀所述金属层直至暴露出基底表面，剩余的金属层为再分布层；

在形成所述再分布层后，去除所述光刻胶层；

所述光刻处理腔室包括旋转涂覆腔室，且所述旋转涂覆腔室内的压强小于旋转涂覆腔室外的大气压强；

或者，所述光刻处理腔室包括烘烤处理腔室，且所述烘烤处理腔室内的压强大于烘烤处理腔室外的大气压强。

2.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述压强差光刻工艺包括：在所述旋转涂覆腔室内，采用旋转涂覆工艺在金属层表面形成光刻胶膜，所述光刻胶膜封闭所述通孔，所述通孔内具有气体；对所述光刻胶膜进行烘烤处理；图形化所述光刻胶膜形成光刻胶层。

3.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，使所述旋转涂覆腔室内的压强小于旋转涂覆腔室外的大气压强的方法为：旋转涂覆腔室内温度与旋转涂覆腔室外室温相同，减小所述旋转涂覆腔室内的气体密度，使所述气体密度小于旋转涂覆腔室外室温条件下的气体密度。

4.如权利要求3所述半导体结构的形成方法，其特征在于，抽取所述旋转涂覆腔室内的气体，减小所述旋转涂覆腔室内的气体密度。

5.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，使所述旋转涂覆腔室内的压强小于旋转涂覆腔室外的大气压强的方法为：所述旋转涂覆腔室内的气体密度与旋转涂覆腔室外室温条件下的气体密度相同，降低所述旋转涂覆腔室内的温度，使旋转涂覆腔室内的温度小于旋转涂覆腔室外的室温。

6.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，使所述旋转涂覆腔室内的压强小于旋转涂覆腔室外的大气压强的方法为：减小所述旋转涂覆腔室内的气体密度，使所述气体密度小于旋转涂覆腔室外室温条件下的气体密度，降低所述旋转涂覆腔室内的温度，使旋转涂覆腔室内的温度小于旋转涂覆腔室外的室温。

7.如权利要求2所述半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述烘烤处理过程中，通孔内的气体体积膨胀。

8.如权利要求2所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述烘烤处理包括前烘处理和后烘处理。

9.如权利要求8所述半导体结构的形成方法，其特征在于，图形化所述光刻胶膜形成光刻胶层的工艺步骤包括：前烘处理、曝光处理、显影处理以及后烘处理。

10.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述压强差光刻工艺包括：采用旋转涂覆工艺在所述金属层表面形成光刻胶膜，所述光刻胶膜封闭所述通孔，且所述通孔内具有气体；在所述烘烤处理腔室内，对所述光刻胶膜进行烘烤处理；图形化所述光刻胶膜形成光刻胶层。

11.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，使所述烘烤处理腔室内的压强大于烘烤处理腔室外的大气压强的方法为：增加所述烘烤处理腔室内的气体密度，使所述气体密度大于烘烤处理腔室外室温条件下的气体密度。

12.如权利要求11所述半导体结构的形成方法，其特征在于，向所述烘烤处理腔室内通入N₂、He、Ar或Ne，以增加所述烘烤处理腔室内的气体密度。

13.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述金属层的材料为Cu、Al、W或Ag。