[发明专利]线型架构的功率半导体元件

权利要求书

1.一种线型架构的功率半导体元件，其特征在于，包括：

一基材，具有一表面，其定义有一活动区域与一终端区域，上述终端区域位于上述活动区域的外侧；

多个线型功率半导体晶胞，位于上述活动区域内，各上述线型功率半导体晶胞包括一长条状闸极导电结构；以及

一保护环结构，包括至少一环状导电结构，位于上述终端区域内，且环绕该些线型功率半导体晶胞，

其中上述长条状闸极导电结构与上述终端区域的最内侧的上述环状导电结构相分离，形成于上述活动区域内的一本体掺杂区与位于上述终端区域内的一掺杂区间隔固定的距离。

2.如权利要求1所述的线型架构的功率半导体元件，其特征在于，上述环状导电结构与该些长条状闸极导电结构位于同一个导电层。

3.如权利要求1所述的线型架构的功率半导体元件，其特征在于，各上述长条状闸极导电结构通过一闸极金属垫电性连接上述终端区域的最内侧的上述环状导电结构。

4.如权利要求1所述的线型架构的功率半导体元件，其特征在于，上述环状导电结构是一环状多晶硅结构，上述长条状闸极导电结构是一长条状闸极多晶硅结构。

5.如权利要求1所述的线型架构的功率半导体元件，其特征在于，上述功率半导体元件包括一闸极金属垫，上述闸极金属垫位于上述终端区域的一侧边且延伸至上述长条状闸极导电结构的一端部，并且，上述闸极金属垫的长边是垂直于上述长条状闸极导电结构的走向。

6.如权利要求1所述的线型架构的功率半导体元件，其特征在于，上述功率半导体元件包括一闸极金属垫，上述闸极金属垫由上述终端区域的一侧边的中央处延伸至上述活动区域内，并且，上述闸极金属垫的延伸方向是垂直于该些长条状闸极导电结构的走向。

7.如权利要求1所述的线型架构的功率半导体元件，其特征在于，上述功率半导体元件包括二个闸极金属垫，对应上述终端区域的相对两侧边。

8.如权利要求1所述的线型架构的功率半导体元件，其特征在于，上述长条状闸极导电结构与上述环状导电结构上方覆盖有一层间介电层，上述层间介电层具有多个接触窗分别对应上述长条状闸极导电结构与上述环状导电结构，上述功率半导体元件包括一闸极金属垫，上述闸极金属垫是通过该些接触窗电性连接上述长条状闸极导电结构与上述环状导电结构。

9.如权利要求1所述的线型架构的功率半导体元件，其特征在于，上述功率半导体元件包括一闸极金属垫，上述闸极金属垫位于该些环状导电结构的上方，以电性连接其中至少二个上述环状导电结构。

10.如权利要求9所述的线型架构的功率半导体元件，其特征在于，该些环状导电结构定义出多个环状掺杂区于上述终端区域内，各上述环状导电结构具有一第一区段与一第二区段，上述第二区段的宽度小于上述第一区段，形成于上述第一区段两侧的该些环状掺杂区互相分离，形成于上述第二区段两侧的该些环状掺杂区互相连结。

11.如权利要求10所述的线型架构的功率半导体元件，其特征在于，各上述环状导电结构还包括一第三区段，上述第三区段位于上述第二区段的中央处以电性连接上述闸极金属垫，并且，上述第三区段的宽度大于上述第二区段的宽度。