[发明专利]一种半导体存储器件及其制备方法、电子装置在审
| 申请号： | 201410395303.8 | 申请日： | 2014-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN105448838A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 杨芸 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 存储 器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
1.一种半导体存储器件的制备方法，包括：
步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构；
步骤S2：在所述栅极结构的侧壁上形成第一间隙壁，并执行LDD注入，以在所述栅极结构两侧的所述半导体衬底中形成LDD区域；
步骤S3：去除所述第一间隙壁，露出所述栅极结构；
步骤S4：在所述栅极结构的侧壁上形成第二间隙壁，并执行源漏注入，以在所述半导体衬底中形成源漏极。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二间隙壁的厚度大于所述第一间隙壁的厚度。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S3中，在去除所述第一间隙壁之后，所述方法还进一步包括执行湿法清洗的步骤。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S1中，所述栅极结构包括位于栅极介电层上方的浮栅、隔离层和控制栅。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S1包括：
步骤S11：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极介电层；
步骤S12：在所述栅极介电层上依次形成浮栅材料层、隔离材料层和控制栅材料层；
步骤S13：图案化所述浮栅材料层、所述隔离材料层和所述控制栅材料层，以形成所述栅极结构。
6.根据权利要求1或5所述的方法，其特征在于，在所述步骤S1中，在形成所述栅极结构之后还进一步包括对所述栅极结构进行氧化的步骤。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S2中，所述第一间隙壁层选用聚合物材料层。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S2包括：
步骤S21：在所述半导体衬底和所述栅极结构上沉积第一间隙壁材料层；
步骤S22：图案化所述第一间隙壁材料层，以在所述栅极结构的侧壁上形所述第一间隙壁。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述步骤S22之后还进一步包括：
步骤S23：在所述半导体衬底上形成图案化的LDD注入掩膜层；
步骤S24：以所述LDD注入掩膜层为掩膜执行LDD离子注入，以形成所述LDD区域；
步骤S25：去除所述LDD注入掩膜层。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S4包括：
步骤S41：在所述半导体衬底上形成源漏注入掩膜层；
步骤S42：以所述源漏注入掩膜层为掩膜，执行源漏注入，以形成所述源漏极。
11.一种基于权利要求1至10之一所述的方法制备得到的半导体存储器件。
12.一种电子装置，包括权利要求11所述的半导体存储器件。
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