[发明专利]使用金属纳米粒子的接合构造以及接合方法有效
| 申请号： | 201410389464.6 | 申请日： | 2014-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN104347564B | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 岩田彩;日野泰成 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 何立波,张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 使用 金属 纳米 粒子 接合 构造 以及 方法 | ||
1.一种使用金属纳米粒子的接合构造，其具有：
第1部件，其至少在一个表面上具有金属面；
第2部件，其至少在一个表面上具有金属面，并且该金属面配置在与所述第1部件的金属面相对的位置处；以及
接合材料，其通过将金属纳米粒子烧结接合，从而将所述第1部件与所述第2部件接合，
所述第1部件与所述第2部件中的至少一者的金属面形成为具有大于或等于0.5μm而小于或等于2.0μm的表面粗糙度Rz-JIS的粗糙面，
所述粗糙面具有：第1粗糙度区域，其具有第1表面粗糙度Rz-JIS；以及第2粗糙度区域，其具有比所述第1表面粗糙度Rz-JIS还粗糙的第2表面粗糙度Rz-JIS，
所述第2粗糙度区域形成为十字状或者格子状。
2.根据权利要求1所述的使用金属纳米粒子的接合构造，其中，
所述粗糙面在所述第1部件和所述第2部件中的至少一者的金属面上，形成为比与另一者的金属面的接合区域还大的区域。
3.根据权利要求1或2所述的使用金属纳米粒子的接合构造，其中，
所述第1部件是半导体元件，所述第2部件是散热器。
4.根据权利要求3所述的使用金属纳米粒子的接合构造，其中，
所述半导体元件是SiC。
5.一种使用金属纳米粒子的接合方法，其使用金属纳米粒子将第1部件与第2部件进行接合，该第1部件至少在一个表面上具有金属面，该第2部件至少在一个表面上具有金属面，
该使用金属纳米粒子的接合方法具有：
工序(a)，在该工序中，在所述第1部件和所述第2部件中的至少一者的金属面上形成具有大于或等于0.5μm而小于或等于2.0μm的表面粗糙度Rz-JIS的粗糙面；
工序(b)，在该工序中，在所述第2部件的金属面上以一定厚度印刷金属纳米膏；
工序(c)，在该工序中，在印刷在所述第2部件上的金属纳米膏上载置所述第1部件；以及
工序(d)，在该工序中，在印刷在所述第2部件上的金属纳米膏上载置有所述第1部件的状态下进行加热，将包含在金属纳米膏中的金属纳米粒子烧结接合，
所述粗糙面具有：第1粗糙度区域，其具有第1表面粗糙度Rz-JIS；以及第2粗糙度区域，其具有比所述第1表面粗糙度Rz-JIS还粗糙的第2表面粗糙度Rz-JIS，
所述第2粗糙度区域形成为十字状或者格子状。
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