[发明专利]半浮栅器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半浮栅器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底内具有第一阱区，所述第一阱区内掺杂有第一掺杂离子；

在所述衬底内形成沟槽，所述沟槽的底部低于所述第一阱区的底部；

在所述沟槽的侧壁和底部表面形成第一介质层；

在所述第一介质层的表面形成牺牲层，所述牺牲层的表面低于所述衬底表面；

以所述牺牲层为掩膜，刻蚀所述第一介质层，暴露出靠近衬底表面的部分沟槽的侧壁表面；

在刻蚀所述第一介质层之后，去除所述牺牲层；

在去除所述牺牲层之后，在所述沟槽内的第一介质层表面和衬底表面形成浮栅层，所述浮栅层的表面高于所述衬底表面，所述浮栅层内掺杂有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子的导电类型与第一掺杂离子相反；

刻蚀部分浮栅层，形成浮栅，所述浮栅包括位于所述沟槽内的第一介质层表面的第一结构、以及位于第一结构部分表面的第二结构，所述第二结构与位于沟槽一侧的部分第一阱区相接触，且所述第二结构暴露出位于沟槽另一侧侧壁表面的第一介质层顶部；

在所述浮栅表面形成第二介质层，所述第二介质层与所述浮栅暴露出的第一介质层相连接；

在所述第二介质层表面形成控制栅。

2.如权利要求1所述的半浮栅器件的形成方法，其特征在于，在刻蚀部分浮栅层之后，所述第二结构仅位于所述第一结构表面，所述第二结构通过所述沟槽暴露出的侧壁表面与第一阱区相接触。

3.如权利要求1所述的半浮栅器件的形成方法，其特征在于，在刻蚀部分浮栅层之后，所述第二结构还位于沟槽一侧的部分衬底表面，所述第二结构通过所述沟槽暴露出的侧壁表面、以及所覆盖的衬底表面与第一阱区相接触。

4.如权利要求1所述的半浮栅器件的形成方法，其特征在于，所述第一介质层的顶部高于或齐平于所述衬底表面。

5.如权利要求4所述的半浮栅器件的形成方法，其特征在于，在刻蚀部分浮栅层之后，所述第二结构还位于沟槽一侧的部分衬底表面，所述第二结构通过所覆盖的衬底表面与第一阱区相接触。

6.如权利要求1所述的半浮栅器件的形成方法，其特征在于，所述沟槽的形成工艺包括：在衬底表面形成掩膜层，所述掩膜层暴露出部分衬底表面；以所述掩膜层为掩膜，刻蚀所述衬底，在所述衬底内形成沟槽。

7.如权利要求6所述的半浮栅器件的形成方法，其特征在于，所述第一介质层的形成工艺为氧化工艺。

8.如权利要求6所述的半浮栅器件的形成方法，其特征在于，所述掩膜层包括：位于衬底表面的氧化硅层、以及位于所述氧化硅层表面的氮化硅层。

9.如权利要求8所述的半浮栅器件的形成方法，其特征在于，还包括：形成浮栅层之前，在所述第一介质层的表面形成牺牲层；以所述牺牲层为掩膜，刻蚀所述掩膜层，直至暴露出靠近衬底表面为止；在刻蚀所述掩膜层之后，去除所述牺牲层；在去除所述牺牲层之后，形成所述浮栅层。

10.如权利要求9所述的半浮栅器件的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的表面低于所述衬底的表面，还包括：以所述牺牲层为掩膜，刻蚀所述第一介质层，暴露出靠近衬底表面的部分沟槽的侧壁表面。

11.如权利要求9所述的半浮栅器件的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的表面高于或齐平于所述衬底表面。

12.如权利要求1所述的半浮栅器件的形成方法，其特征在于，所述控制栅和第二介质层的形成工艺包括：在衬底表面、第一介质层暴露出的顶部表面、以及浮栅表面形成第二介质膜；在所述第二介质膜表面形成控制栅层；刻蚀所述控制栅层和第二介质膜，直至暴露出衬底表面为止，形成第二介质层和控制栅层。