[发明专利]复合氧化膜结构

权利要求书

1.一种复合氧化膜结构的制造方法，包括：

在半导体基片上沉积第一氧化膜；

在所述第一氧化膜中形成空腔结构；

在所述空腔结构中填充预填充材料；

在所述第一氧化膜上沉积第二氧化膜；

在所述第二氧化膜中、所述空腔结构上方位置处刻蚀出孔；

去除所述预填充材料；以及

继续沉积所述第二氧化膜，使沉积材料封闭所述孔。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一氧化膜是TEOS基氧化膜，所述第二氧化膜是SiH₄基氧化膜。

3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，以灰化工艺去除所述预填充材料。

4.如权利要求1所述的制造方法，所述第二氧化膜的材料应力方向和所述第一氧化膜的材料应力方向相同。

5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在低温工艺条件下沉积所述第一氧化膜和第二氧化膜。

6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述空腔结构包括分布在所述第一氧化膜中的多个离散空腔。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，每个离散空腔的口径为10－50μm。

8.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述预填充材料是无定形碳。

9.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述空腔结构中填充预填充材料的步骤包括：

沉积预填充材料到半导体基片的整个表面；

通过平坦化工艺去除沉积在空腔结构以外的预填充材料。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述孔的直径为

11.一种复合氧化膜结构，包括：

在半导体基片上的第一氧化膜；以及

在所述第一氧化膜上的第二氧化膜，

其中，所述第一氧化膜中形成有空腔结构。

12.如权利要求11所述的复合氧化膜结构，其特征在于，所述第一氧化膜是TEOS基氧化膜，所述第二氧化膜是SiH₄基氧化膜。

13.如权利要求11所述的复合氧化膜结构，其特征在于，所述第二氧化膜的材料应力方向和所述第一氧化膜的材料应力方向相同。

14.一种复合氧化膜结构的制造方法，包括：

在半导体基片上依次沉积两个或更多个复合子层，

其中每个复合子层包括第一氧化膜以及沉积在第一氧化膜上的第二氧化膜，其中所述第一氧化膜的材料应力和所述第二氧化膜的材料应力方向相反。

15.一种复合氧化膜结构的制造方法，包括：

在半导体基片上沉积第一氧化膜；

在半导体基片上沉积第二氧化膜；

在半导体基片上沉积第三氧化膜；以及

在半导体基片上沉积第四氧化膜；

其中，所述第一氧化膜的材料应力和所述第二氧化膜的材料应力方向相反，所述第三氧化膜和所述第一氧化膜的材料相同，所述第四氧化膜和所述第二氧化膜的材料相同。

16.如权利要求15所述的制造方法，其特征在于，所述第一和第二氧化膜构成第一复合子层，所述第三和第四氧化膜构成第二复合子层，所述第一复合子层的厚度小于所述第二复合子层的厚度。

17.如权利要求16所述的制造方法，其特征在于，所述第一复合子层的厚度占复合氧化膜结构总厚度的25％－50％。

18.如权利要求16所述的制造方法，其特征在于，所述第一氧化膜是TEOS基LTO膜，所述第二氧化膜是SiH₄基LTO膜。

19.如权利要求18所述的制造方法，其特征在于，所述第一氧化膜和第二氧化膜的厚度比例为1:4，所述第三氧化膜和第四氧化膜的厚度比率为1:4。

20.一种包括复合氧化膜结构的半导体器件，其特征在于，所述复合氧化膜结构根据权利要求1－10、14－19中任一项所述的方法制得。