[发明专利]一种LED芯片及其制作方法

说明书

技术领域

本发明实施例涉及半导体技术领域，尤其涉及一种LED芯片及其制作方法。

背景技术

发光二极管(LightEmittingDiode，简称LED)因具有体积小、寿命长、反应速度快、方向可控度高、稳定性好、功耗低、无热辐射、无水银等有毒物质的污染源等优点，自推出后其应用和推广非常迅速。

随着LED的应用和推广，LED相关技术的发展也突飞猛进，层出不穷。目前，LED芯片的结构可以分为垂直结构、正装结构和倒装结构。倒装结构的LED芯片具有良好的散热性能，因此受到了技术人员的重点关注。在现有技术中，当LED芯片工作时，P型电极和N型电极之间电流的流向比较集中，导致电流密度分布不均匀，从而影响LED芯片的发光效率。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种LED芯片及其制作方法，以解决现有技术中当LED芯片工作时P型电极和N型电极之间电流的流向比较集中而导致电流密度分布不均匀的技术问题。

第一方面，本发明实施例提供一种LED芯片，包括：

衬底；

外延层，所述外延层位于所述衬底上；

透明电极层，所述透明电极层位于所述外延层上；

至少两个槽，所述槽沿纵向穿过所述透明电极层且底部位于所述外延层中，所述槽分布在所述透明电极层的边缘处；

绝缘层，所述绝缘层衬在所述槽的侧壁上以及所述槽口边缘的透明电极层上；

N型电极，所述N型电极位于所述绝缘层上；以及

P型电极，所述P型电极位于所述透明电极层上，其中，所述P型电极到所述N型电极的距离均相等。

进一步地，所述外延层包括N型GaN层、InGaN或者GaN多量子阱有源层和P型GaN层，其中，所述N型GaN层位于所述衬底上，所述InGaN或者GaN多量子阱有源层位于所述N型GaN层上，所述P型GaN层位于所述InGaN或者GaN多量子阱有源层上。

进一步地，所述槽的底部位于所述N型GaN层中；所述N型电极与所述N型GaN层直接接触。

进一步地，所述槽的横截面为圆形、长方形、正方形中的一种；所述槽的个数为4个、5个、6个、7个或者8个。

进一步地，所述透明电极层的材料为ITO、ZnO或者Ni和Au合金；所述绝缘层的材料为SiO₂、Si₃N₄、SiON中的一种；所述N型电极和所述P型电极的材料均为Ti、Cr、Pt、Au、Ni、Al、Be、Ge中的一种。

进一步地，所述槽沿所述透明电极层的边缘均匀分布。

进一步地，所述LED芯片通过倒装共晶焊焊接在电路板上，其中，所述电路板包括基板以及位于所述基板上的正极和负极，且所述正极与所述负极隔开；

所述P型电极位于所述正极上，所述N型电极位于所述负极上。

第二方面，本发明实施例还提供一种LED芯片的制作方法，包括：

在衬底上形成外延层；

在所述外延层上形成透明电极层；

形成沿纵向穿过所述透明电极层且底部位于所述外延层中的至少两个槽，其中，所述槽分布在所述透明电极层的边缘处；

在所述槽的侧壁上以及所述槽口边缘的透明电极层上形成绝缘层；

在所述绝缘层上形成N型电极；以及

在所述透明电极层上形成P型电极，其中，所述P型电极到所述N型电极的距离均相等。

进一步地，在衬底上形成外延层，包括：在衬底上依次形成N型GaN层、InGaN或者GaN多量子阱有源层和P型GaN层。

进一步地，所述槽的底部形成在所述N型GaN层中；所述N型电极与所述N型GaN层直接接触。

本发明实施例提供的LED芯片及其制作方法，通过在LED芯片中设置沿纵向穿过透明电极层且底部位于外延层中的至少两个槽，其中，槽沿透明电极层的边缘分布，在槽侧壁上以及位于所述槽口边缘的透明电极层上设置绝缘层，并且在绝缘层上设置N型电极以及在透明电极层上设置P型电极，其中P型电极到N型电极的距离均相等，使得N型电极到P型电极皆等距且围绕在其周围，当LED芯片工作时，N型电极和P型电极之间的电流流向比较分散，可以使电流密度分布比较均匀，从而可以提高LED芯片的发光效率。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1是本发明实施例一提供的一种LED芯片的剖面示意图；