[发明专利]自对准形成孔槽、电容的方法及孔槽、电容

权利要求书

1.一种自对准形成孔槽的方法，其特征在于，包括步骤：

提供待刻蚀层；

在待刻蚀层上沉积硬掩膜层；

刻蚀所述硬掩膜层，以形成图案；

根据所述图案刻蚀待刻蚀层，以形成第一孔槽；

进行叠层的淀积，所述叠层至少包括两层材料层，且至少有一层材料层至少相对于其相邻的一材料层具有刻蚀选择性；

在第一孔槽内形成了具有不同刻蚀选择性的叠层；

进行平坦化，直至第一孔槽两侧的待刻蚀层之上的叠层被移除；

根据刻蚀选择性，在第一孔槽的深度方向上去除至少一材料层，以形成第二孔槽。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在第一孔槽的深度方向上去除至少一材料层的步骤具体为：根据刻蚀选择性，各项异性刻蚀至少一材料层，以形成第二孔槽。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在第一孔槽的深度方向上去除至少一材料层的步骤具体为：根据刻蚀选择性，进行各项同性刻蚀，去除部分高度的至少一材料层；进行各项异性刻蚀，去除剩余部分高度的至少一材料层，以形成第二孔槽。

4.一种电容的形成方法，其特征在于，包括步骤：

利用权利要求1-3中任一项所述的方法形成第二孔槽，待刻蚀层为衬底上的介质层；

利用第二孔槽形成电容；

形成与电容的电极连接的电连线。

5.根据权利要求4所述的电容的形成方法，其特征在于，叠层中的材料层为介质材料，形成电容的步骤为：依次淀积第一电极层、介电层和第二电极层。

6.根据权利要求5所述的电容的形成方法，其特征在于，形成电连线的步骤为：

去除部分的第二电极层，以形成第一区域；

在第一区域上形成与第一电极层接触的第一电连线，以及形成与第二电极层接触的第二电连线。

7.根据权利要求5所述的电容的形成方法，其特征在于，第一孔槽暴露待刻蚀层中的金属互连层；其中：

形成第二孔槽的步骤为：根据刻蚀选择性，在第一孔槽的深度方向上至少去除叠层中的第一层材料层，直至暴露金属互连层，以形成第二孔槽；

形成电连线的步骤为：形成与金属互连层接触的第一电连线；形成与第二电极层接触的第二电连线。

8.根据权利要求4所述的电容的形成方法，其特征在于，叠层中的材料层为金属材料，第一孔槽暴露待刻蚀层中的金属互连层；其中：

形成第二孔槽的步骤为：根据刻蚀选择性，在第一孔槽的深度方向上去除叠层中的第一层材料层之外的至少一材料层，以形成第二孔槽，第一层材料层为第一电极层；

形成电容的步骤为：依次淀积介电层和第二电极层；

形成电连线的步骤为：形成与金属互连层接触的第一电连线；形成与第二电极层接触的第二电连线。

9.一种孔槽结构，其特征在于，包括：

待刻蚀层，待刻蚀层中具有第一孔槽；

在第一孔槽内形成了具有不同刻蚀选择性的叠层；

根据刻蚀选择性，在第一孔槽的深度方向上去除至少一材料层，以形成第二孔槽；

形成在第一孔槽中的至少一个第二孔槽，第二孔槽为环状和/或孔状的同心孔槽，且越靠近中心的第二孔槽的孔深越小，第二孔槽之间由隔层间隔。

10.一种电容结构，其特征在于，包括：

衬底及衬底上的介质层；

形成在介质层中的第一孔槽；

形成在第一孔槽中的至少一个第二孔槽，第二孔槽为环状和/或孔状的同心孔槽，且越靠近中心的第二孔槽的孔深越小，且第二孔槽之间由绝缘隔层间隔；

在第二孔槽的内表面上依次形成的第一电极层、介电层和第二电极层；

与第一电极层和第二电极层分别连接的第一电连线和第二电连线。

11.根据权利要求10所述的电容结构，其特征在于，第一电极层还形成于介质层上，以与第一电连线接触连接。

12.根据权利要求10所述的电容结构，其特征在于，第一孔槽下有金属互连层，第一孔槽侧壁处的第二孔槽中的第一电极层与该金属互连层电连接；第一电连线与金属互连层接触连接。

13.一种电容结构，其特征在于，包括：

衬底及衬底上的介质层，介质层中具有金属互连层；

形成在介质层中的第一孔槽；

形成在第一孔槽内表面上的第一金属层，第一金属层与金属互连层相接触；

形成在第一孔槽中的至少一个第二孔槽，第二孔槽为环状和/或孔状的同心孔槽，且越靠近中心的第二孔槽的孔深越小，且第二孔槽之间由金属隔层间隔；

在第二孔槽的内表面上依次形成的介电层和第二电极层；

与金属互连层和第二电极层分别连接的第一电连线和第二电连线。