[发明专利]多层存储器阵列及其制作方法

权利要求书

1.一种存储器阵列的制作方法，包括：

于一基材的一表面上形成一多层叠层(multi-layer stack)；

形成多个第一通孔，沿着该多层叠层的一垂直方向，由该多层叠层的一顶部表面到该基材的该表面，贯穿该多层叠层，这些第一通孔以等距的方式沿着该基材的该表面的一第一方向配置成行(row)，并且以等距的方式沿着与该第一方向直交(orthogonal)的一第二方向配置成列(column)；

形成多个牺牲柱状体填充这些第一通孔；

在具有这些牺牲柱状体的该多层叠层上形成一硬掩模层，该硬掩模层具有多个硬掩模通孔，可将该多层叠层位于每一列这些牺牲柱状体中相邻的牺牲柱状体之间的多个区域暴露于外；

形成多个第二通孔，沿着该多层叠层的该垂直方向，由该多层叠层的该顶部表面到该基材的该表面，贯穿该多层叠层，这些第二通孔垂直地对准这些硬掩模通孔；以及

移除填充于这些第一通孔中的这些牺牲柱状体；

其中这些第二通孔连接该第一通孔而形成沿着该第二方向延伸的多个沟道；

且这些沟道将该多层叠层区隔成沿着该第二方向延伸的多个脊状叠层(ridged-shaped stacks)。

2.根据权利要求1所述的存储器阵列的制作方法，其中该多层叠层包括多个导电层和多个绝缘层沿着该垂直方向交错叠层。

3.根据权利要求2所述的存储器阵列的制作方法，其中这些导电层是由多晶硅(polysilicon)所构成。

4.根据权利要求2所述的存储器阵列的制作方法，其中这些绝缘层是由选自于硅氧化物(oxide)、硅氮化物(nitride)、硅氮氧化物(oxynitride)和硅酸盐(silicate)的一介电材料所构成。

5.根据权利要求1所述的存储器阵列的制作方法，更包括：

于这些沟道的多个侧壁上形成一存储器层；以及

在该沟道中形成多个导电脊状部。

6.根据权利要求5所述的存储器阵列的制作方法，其中该存储器层包括一氧化硅(silicon oxide)层、一氮化硅(silicon nitride)层以及一氧化硅层。

7.根据权利要求5所述的存储器阵列的制作方法，其中这些导电脊状部是由选自于多晶硅、金属硅化物(silicide)、氧化物半导体(oxide semiconductors)或金属中的一导电材料所构成。

8.根据权利要求5所述的存储器阵列的制作方法，更包括：

形成多个第三通孔沿着该垂直方向贯穿这些导电脊状部；这些第三通孔将每一这些导电脊状部切割成多个导电柱状体。

9.根据权利要求8所述的存储器阵列的制作方法，更包括：

于该硬掩模层上形成多个导电条带(strips)，且沿着该第一方向延伸；每一这些导电条带与这些导电柱状体的一行电性电性连接。

10.根据权利要求9所述的存储器阵列的制作方法，其中这些导电条带是由选自于多晶硅、金属硅化物、氧化物半导体或金属中的一导电材料所构成。

11.根据权利要求1所述的存储器阵列的制作方法，其中该硬掩模层是由硅、氧化硅或氮氧化硅(silicon oxynitride)所构成。