[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板及其制备布线方法、显示装置。

背景技术

静电击穿(ESD，Electro-Static discharge)现象是面板制程中阵列基板段工艺的主要不良现象之一，主要原因是由于面板内部大面积金属的存在，在金属溅射和刻蚀过程中积累大量电荷，在电荷转移过程中遇到很细的走线或者线与线交叉的地方，由于瞬间电流过大，容易发生ESD现象，直接影响产品的良品率。

薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD，Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display)在制程过程中，在阵列基板制备工艺结束时，需要进行该工艺的检查，其包括金属线的断开、短接等不良检查。

为了方便对阵列基板上的布线进行检查，阵列基板一般采用如图1所示的连接方式，数据线贯穿整个阵列基板的衬底基板10的两端，其长度较长，通常将整个面板的数据线分成奇数的数据线(简称奇数线40)和偶数的数据线(简称偶数线50)两组，先在衬底基板上形成第一短路线20，在该第一短路线20的上层形成第一绝缘层，并在第一绝缘层的上层形成数据线和第二短路线30，将奇数线40直接连接在第一短路线20(Shorting Bar)上，最后在数据线和第二短路线的上层形成第二绝缘层，该第二绝缘层上开设有过孔，而偶数线50需要通过第二绝缘层的过孔与第二短路线30连接，最后在过孔处进行ITO沉积，将偶数线50与第二短路线30连接，这样，会使奇数线40和第二短路线30产生交叠。

虽然数据线上连接有ESD保护器件60，ESD保护器件包括多个TFT，TFT的源极与数据线连接，其漏极与第三短路线连接，源极和栅极之间需要通过ITO连接，而ITO一般是在最后的步骤在进行沉积，由于数据线为较长的金属线，在数据线溅射和刻蚀过程中容易积累静电，而这些静电在ITO沉积之前是不能通过ESD保护器件释放掉的，因此，在上述数据线交叠区域就容易产生ESD现象，影响产品的良品率。

发明内容

(一)要解决的技术问题

本发明要解决的技术问题是如何避免阵列基板上数据线交叠区域发生ESD现象。

(二)技术方案

为了解决上述技术问题，本发明提供的一种阵列基板，其包括衬底基板、自下而上依次形成在所述衬底基板上的第一短路线、第一绝缘层、数据线和第二绝缘层，所述数据线所在的层形成有第二短路线，所述数据线为平行设置的多根，其分为第一数据线单元和第二数据线单元，且每根数据线均连接有ESD保护器件，

所述第二数据线单元的数据线与第二短路线连接，且所述第二数据线单元的数据线分为两段，第二导电接线穿过第二绝缘层的过孔连接所述第二数据线单元的两段数据线；第一导电接线穿过第一绝缘层和第二绝缘层的过孔连接所述第一数据线单元的数据线和第一短路线。

进一步地，所述ESD保护器件包括至少一个TFT，所述TFT包括栅极、第一电极和第二电极，所述栅极和第一电极、第二电极之间为所述第一绝缘层，所述第一电极与数据线连接，所述第二电极连接到第三短路线上，第三导电接线穿过第一绝缘层和第二绝缘层的过孔连接所述第一电极和栅极。

进一步地，所述第一导电接线、第二导电接线和第三导电接线均由ITO材料制成，且所述第一导电接线、第二导电接线和第三导电接线形成于所述第二绝缘层的上层。

进一步地，所述第一数据线单元上形成奇数的数据线，第二数据线单元上形成偶数的数据线。

进一步地，所述第一数据线单元上形成偶数的数据线，第二数据线单元上形成奇数的数据线。

本发明还提供一种阵列基板的制备方法，其包括以下步骤：

采用第一构图工艺在衬底基板上形成第一短路线的图形，并在第一短路线的上层形成第一绝缘层；

采用第二构图工艺在第一绝缘层的上层形成数据线和第二短路线的图形，并在数据线和第二短路线的上层形成第二绝缘层，其中，多个数据线分为第一数据线单元和第二数据线单元，第一数据线单元的数据线分为两段；

在第二绝缘层上开设多个过孔，部分过孔穿过第二绝缘层和第一绝缘层使得第一短路线暴露，剩余部分过孔穿过第二绝缘层使得数据线和第二短路线暴露；

在具有过孔的第二绝缘层的上层形成第一导电接线和第二导电接线，所述第一导电接线穿过第一绝缘层和第二绝缘层的过孔连接所述第一数据线单元的数据线和第一短路线，所述第二导电接线穿过所述第二绝缘层的过孔连接所述第一数据线单元的两段数据线；