[发明专利]芯片封装结构的处理方法

权利要求书

1.一种芯片封装结构的处理方法，其特征在于，

芯片封装结构至少具有第一电连接结构、第二电连接结构及暴露所述第一电连接结构、第二电连接结构的绝缘层；

采用O₂或N₂中的至少一种气体的等离子体轰击所述第一电连接结构、第二电连接结构及暴露所述第一电连接结构、第二电连接结构的绝缘层；上述轰击过程中，O₂或N₂所产生的等离子体会与沉积在绝缘层表面的金属阳离子反应生成金属原子或金属化合物，所述金属原子、金属化合物为电中性，因而与绝缘层之间无静电吸附，且所述金属原子、金属化合物也不易再反粘至绝缘层表面。

2.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述第一电连接结构为焊垫或垫重分布层，所述第二电连接结构为焊垫或垫重分布层。

3.根据权利要求2所述的处理方法，其特征在于，所述焊垫或垫重分布层的材质为铜或铝。

4.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述第一电连接结构为位于焊垫或垫重分布层上的焊球，所述第二电连接结构为位于焊垫或垫重分布层上的焊球。

5.根据权利要求4所述的处理方法，其特征在于，所述焊球的材质为铜、锡或银。

6.根据权利要求4所述的处理方法，其特征在于，所述第一电连接结构还包括位于所述焊球与焊垫，或所述焊球与垫重分布层之间的球下金属层；所述第二电连接结构还包括位于所述焊球与焊垫，或所述焊球与垫重分布层之间的球下金属层。

7.根据权利要求6所述的处理方法，其特征在于，所述球下金属层的材质为钛或铜。

8.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述轰击过程中，等离子体腔室内O₂的流量范围为5～25sccm，压强范围为1E10^-9～1E10^-6Pa。

9.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述轰击过程中，等离子 体腔室内N₂的流量范围为5～25sccm，压强范围为1E10^-9～1E10^-6Pa。

10.根据权利要求8或9所述的处理方法，其特征在于，所述轰击过程中，所加的射频电压大小范围为900V～1100V，频率范围为45Hz～55Hz，功率范围为270W～330W，轰击时间范围为100s～150s。

11.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述绝缘层的材质为聚酰亚胺、氮化硅、或氧化硅。