[发明专利]配线和薄膜晶体管阵列面板的制造方法及有机发光显示器有效
申请号: | 201410195634.7 | 申请日: | 2014-05-09 |
公开(公告)号: | CN104143563B | 公开(公告)日: | 2019-04-05 |
发明(设计)人: | 尹秀娟;孙东珍 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77;H05K3/46 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 宋颖娉;康泉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 阵列 面板 制造 方法 有机 发光 显示器 | ||
本发明公开了一种配线和薄膜晶体管阵列面板的制造方法及有机发光显示器。所述配线的制造方法包括:在基板上形成下层;在所述下层上形成中间层;在所述中间层上形成上层;在所述上层上形成、曝光并显影光刻胶层以形成光刻胶图案;并且通过将所述光刻胶图案用作掩膜刻蚀所述上层、所述中间层和所述下层,以形成配线,使得所述上层覆盖所述中间层的端部。
技术领域
本发明的示例性实施例涉及形成金属配线和薄膜晶体管阵列面板的方法以及有机发光显示器。
背景技术
近来,通过引进容易实现大面积且具有减小的重量和厚度的平板显示器(FPD)改变了显示设备市场。在许多种平板显示器中,有机发光二极管显示器(OLED)在减小厚度和重量方面最具优势,因为其是不需要光源的自发光类型。
显示设备中的像素包括多个薄膜晶体管,并且薄膜晶体管包括连接至传输扫描信号的栅极线的栅电极、连接至传输待施加至像素电极的信号的数据线的源电极、面对源电极的漏电极以及电连接至源电极和漏电极的半导体。
为了形成诸如数据线和栅极线的金属配线,在基板上形成金属层,并且通过使用光刻胶图案的光刻工艺而图案化金属层。
通过曝光和显影工艺形成光刻胶图案。通过在显影工艺中使用的显影液刻蚀金属层,并且根据所使用的金属产生杂质。
具体来说,用于制造低电阻配线的由铝制成的金属层与显影液发生反应,产生杂质,并且所产生的杂质残留在金属层上。最终,在测试工艺中,残留在金属层上的杂质可被识别为噪声。
在该背景技术部分公开的上述信息仅是为了加强对本发明背景的理解,因此,其可以包含不构成现有技术的信息。
发明内容
本发明的示例性实施例涉及防止在显影光刻胶时由于显影液而产生杂质的配线形成方法、配线和使用这种配线的薄膜晶体管阵列面板的制造方法以及有机发光显示器。
本发明的额外的特征记载在随后的描述中,并且部分地根据这些描述显而易见,或者可以通过实践本发明而获知。
本发明的示例性实施例公开了一种制造配线的方法,包括:在基板上形成下层;在所述下层上形成中间层;在所述中间层上形成上层;通过曝光并显影形成在所述上层上的光刻胶层来形成光刻胶图案;以及通过将所述光刻胶图案用作掩膜刻蚀所述上层、所述中间层和所述下层来形成配线,其中所述上层覆盖所述中间层的端部。
本发明的示例性实施例还公开了一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法,包括:在基板上形成第一下层;在所述第一下层上形成第一中间层;在所述第一中间层上形成第一上层;通过曝光并显影形成在所述第一上层上的光刻胶层来形成光刻胶图案;通过将所述光刻胶图案用作掩膜刻蚀所述第一上层、所述第一中间层和所述第一下层来形成第一信号线;形成连接至所述第一信号线的薄膜晶体管;形成连接至所述薄膜晶体管的第二信号线;以及形成连接至所述第二信号线的第一电极,其中所述第一上层覆盖所述第一中间层的端部。
本发明的示例性实施例还公开了一种有机发光显示器,包括基板、形成在所述基板上的栅极线;与所述栅极线相交的数据线和驱动电压线;第一薄膜晶体管,具有连接至所述栅极线的第一栅电极和连接至所述数据线的第一源电极;第二薄膜晶体管,具有连接至所述第一薄膜晶体管的第一漏电极的第二栅电极和连接至所述驱动电压线的第二源电极;连接至所述第二薄膜晶体管的第二漏电极的第一电极;形成在所述第一电极上的有机发射层;以及形成在所述有机发射层上的第二电极,其中所述栅极线和所述驱动电压线中的至少之一由下层、中间层和上层制成。
应当理解,以上大体描述和以下详细描述都是示例性和解释性的,并且旨在提供如权利要求所述的对本发明的进一步解释。
附图说明
为进一步理解本发明而包括且被包含在本说明书中并构成本说明书的一部分的附图,示出了本发明的实施例,并且连同描述一起用于解释本发明的原理。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410195634.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体器件、天线开关电路和无线电通信装置
- 下一篇:覆晶式LED灯具
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的