[发明专利]配线和薄膜晶体管阵列面板的制造方法及有机发光显示器

权利要求书

1.一种制造配线的方法，包括

在基板上形成下层；

在所述下层上形成中间层；

在所述中间层上形成上层；

使用显影工艺在所述上层上形成光刻胶图案；以及

通过将所述光刻胶图案用作掩膜刻蚀所述上层、所述中间层和所述下层来形成配线，

其中所述配线具有三层结构，所述三层结构具有所述下层、所述中间层和所述上层，并且

其中所述上层覆盖所述中间层的端部的侧面。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述上层对显影液有耐受性，并且所述中间层对显影液没有耐受性。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述显影工艺包括使用所述显影液刻蚀光刻胶层。

4.根据权利要求2所述的方法，其中所述中间层包括铝、镍和镧。

5.根据权利要求2所述的方法，其中所述下层和所述上层包括Mo。

6.根据权利要求2所述的方法，其中所述中间层包括铝。

7.根据权利要求6所述的方法，其中：

所述上层包括钼，并且

所述下层包括铝、镍和镧。

8.根据权利要求6所述的方法，其中：

所述上层包括铝、镍和镧，并且

所述下层包括钼。

9.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述下层、所述中间层和所述上层在包括与所述基板的边缘对准的掩膜的溅射设备中形成；

在形成所述中间层时，所述掩膜被对准为与所述基板重叠第一宽度；

在形成所述上层时，所述掩膜被对准为与所述基板重叠第二宽度；

所述第一宽度大于所述第二宽度。

10.一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，包括：

在基板上形成第一下层；

在所述第一下层上形成第一中间层；

在所述第一中间层上形成第一上层；

使用第一显影工艺在所述第一上层上形成光刻胶图案；

通过将所述光刻胶图案用作掩膜刻蚀所述第一上层、所述第一中间层和所述第一下层来形成第一信号线；

形成连接至所述第一信号线的薄膜晶体管；

形成连接至所述薄膜晶体管的第二信号线；以及

形成连接至所述第二信号线的第一电极，

其中所述第一信号线具有三层结构，所述三层结构具有所述第一下层、所述第一中间层和所述第一上层，并且

其中所述第一上层覆盖所述第一中间层的端部的侧面。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述第二信号线的形成进一步包括：

在所述基板上形成第二下层；

在所述第二下层上形成第二中间层；

在所述第二中间层上形成第二上层；

使用第二显影工艺在所述第二上层上形成第二光刻胶图案；以及

通过将所述光刻胶图案用作掩膜刻蚀所述第二上层、所述第二中间层和所述第二下层，

其中所述第二上层覆盖所述第二中间层的端部。

12.根据权利要求10所述的方法，其中所述第一中间层包括铝、镍和镧。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述第一下层和所述第一上层包括钼。