[发明专利]一种LED灯丝的制造方法有效

专利信息
申请号: 201410189130.4 申请日: 2014-05-06
公开(公告)号: CN103956357A 公开(公告)日: 2014-07-30
发明(设计)人: 夏勋力;麦家儿;唐永成 申请(专利权)人: 佛山市国星光电股份有限公司
主分类号: H01L25/075 分类号: H01L25/075;H01L33/48;H01L33/50;H01L33/54
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 曹志霞
地址: 528000 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 led 灯丝 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及LED封装领域,尤其涉及一种LED灯丝的制造方法。

背景技术

目前市面上出现了不少LED灯丝光源,以往LED光源要达到一定的光照度和光照面积,需加装透镜之类的光学器件,影响光照效果,会降低LED应有的节能功效。

目前,LED灯丝虽然种类不少,但主要还是在玻璃或者金属基板上放置管芯、种线、以及封装荧光胶。目前为止,大多数公司都是使用模塑(molding)设备,虽然能封装出光色均匀的灯丝,但产量低,成本高,效益低,有些通过在基板上下点胶,能小批量产,但由于侧面没有荧光胶覆盖,出光不够均匀,存在色差。

由此可见,如何对现有技术进行改进,提供一种LED灯丝的制造方法,可实现大批量生产且出光效果均匀,这是本领域目前需要解决的技术问题。

发明内容

有鉴于此,本发明的目的在于提供一种LED灯丝的制造方法,可实现大批量生产且出光效果均匀。

为解决以上技术问题,本发明的技术方案是:

一种LED灯丝的制造方法,包括如下步骤:

1)准备整片基座坯体,所述整片基座坯体的每个基座都具有至少一个LED芯片安装面;

2)在每个LED芯片安装面上放置多个LED芯片;

3)将整片基座坯体分裂成单独的基座,在所述LED芯片安装面上设置电极;

4)准备一带凹坑的载板,将基座放入所述凹坑且使所述电极的一端伸出至所述凹坑外,然后点荧光胶成型;使所述基座的四周均被荧光胶包封、所述LED芯片被荧光胶覆盖。

优选地,所述基座为玻璃、陶瓷或金属材质。

优选地,所述基座为长方体结构的柱状体,长度与宽度之间的比值为15-40。

优选地,所述基座的宽度为:0.8-1.2mm,所述基座的长度为:20-40mm,所述基座的高度为:0.2-0.8mm。

优选地,每个LED芯片安装面上设置的LED芯片的数量为5-30个。

优选地,所述电极包括相互平行的第一连接段、第二连接段以及位于第一连接段与第二连接段之间的倾斜段,所述第一连接段与所述基座两端的焊盘电连接,所述第二连接段未被荧光胶全部包封。

优选地,所述基座的下端与所述凹坑的底部之间具有间隙。

优选地,所述凹坑的底部为曲面或者平面。

优选地,所述凹坑的底部为半球面,所述半球的半径为0.8-0.9mm。

优选地,所述基座放入凹坑的深度为0.8-1.2mm,所述凹坑的深度为1.6-2.0mm。

优选地,所述倾斜段与第一连接段、第二连接段所成角度为120-150度。

优选地,所述基座具有两个相交或平行设置的第一LED芯片安装面和第二LED芯片安装面,每个LED芯片安装面上设置有与所述基座两端焊盘电连接的折弯电极。

优选地,所述述基座为长方体结构的柱状体,所述基座的上表面、下表面、前侧面、后侧面中的任意一个或多个作为一LED芯片安装面。

与现有技术相比,本发明提供的一种LED灯丝制造方法,其步骤包括:1)准备整片基座坯体,所述整片基座坯体的每个基座都具有至少一个LED芯片安装面;2)在每个LED芯片安装面上放置多个LED芯片;3)将整片基座坯体分裂成单独的基座,在所述LED芯片安装面上设置电极;4)准备一带凹坑的载板,将基座放入所述凹坑且使所述电极的一端伸出至所述凹坑外,然后点荧光胶成型;使所述基座的四周均被荧光胶包封、所述LED芯片被荧光胶覆盖,这样得到的LED灯丝,由于基座各个面全包覆荧光胶,再由于基座可采用玻璃、陶瓷或金属,从而实现不需要增加透镜、反射罩等措施,真正的实现了光色均匀的全角度发光,避免了因增加透镜而影响光效造成的光损;此外,本发明比使用molding模具制作出来的灯丝,设备投入更小、成本更低,产量是molding设备制作的10倍以上;并且相对于上下点胶的LED灯丝,只需要一次滴塑封装,节省了工艺。

附图说明

图1为本发明LED灯丝的制造方法实施例一的步骤1中所涉及的整片基座呈半切割状态的结构示意图;

图2为本发明LED灯丝的制造方法实施例一的步骤2、3中所涉及的切割后的单个基座设置芯片和电极后的结构示意图;

图3为本发明LED灯丝的制造方法实施例一的步骤4中所涉及的基座与载板及封装胶的配合示意图;

图4为本发明LED灯丝的制造方法实施例二的步骤2、3中所涉及的切割后的单个基座设置芯片和电极后的结构示意图;

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