[发明专利]一种LED灯丝的制造方法

权利要求书

1.一种LED灯丝的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)准备整片基座坯体，所述整片基座坯体的每个基座都具有至少一个LED芯片安装面；

2)在每个LED芯片安装面上放置多个LED芯片；

3)将整片基座坯体分裂成单独的基座，在所述LED芯片安装面上设置电极；

4)准备一带凹坑的载板，将基座放入所述凹坑且使所述电极的一端伸出至所述凹坑外，然后点荧光胶成型，使所述基座的四周均被荧光胶包封、所述LED芯片被荧光胶覆盖。

2.如权利要求1所述的一种LED灯丝的制造方法，其特征在于，所述基座为玻璃、陶瓷或金属材质。

3.如权利要求1所述的一种LED灯丝的制造方法，其特征在于，所述基座为长方体结构的柱状体，长度与宽度之间的比值为15-40。

4.如权利要求3所述的一种LED灯丝的制造方法，其特征在于，所述基座的宽度为：0.8-1.2mm，所述基座的长度为：20-40mm，所述基座的高度为：0.2-0.8mm。

5.如权利要求1所述的一种LED灯丝的制造方法，其特征在于，每个LED芯片安装面上设置的LED芯片的数量为5-30个。

6.如权利要求1所述的一种LED灯丝的制造方法，其特征在于，所述电极包括相互平行的第一连接段、第二连接段以及位于第一连接段与第二连接段之间的倾斜段，所述第一连接段与所述基座两端的焊盘电连接，所述第二连接段未被荧光胶全部包封。

7.如权利要求1所述的一种LED灯丝的制造方法，其特征在于，所述基座的下端与所述凹坑的底部之间具有间隙。

8.如权利要求1所述的LED灯丝的制造方法，其特征在于，所述凹坑的底部为曲面或者平面。

9.如权利要求1所述的一种LED灯丝的制造方法，其特征在于，所述凹坑的底部为半球面，所述半球的半径为0.8-0.9mm。

10.如权利要求1所述的一种LED灯丝的制造方法，其特征在于，所述基座放入凹坑的深度为0.8-1.2mm，所述凹坑的深度为1.6-2.0mm。

11.如权利要求6所述的一种LED灯丝的制造方法，其特征在于，所述倾斜段与第一连接段、第二连接段所成角度为120-150度。

12.如权利要求1所述的一种LED灯丝的制造方法，其特征在于，所述基座具有两个相交或平行设置的第一LED芯片安装面和第二LED芯片安装面，每个LED芯片安装面上设置有与所述基座两端焊盘电连接的折弯电极。

13.如权利要求1所述的一种LED灯丝的制造方法，其特征在于，所述述基座为长方体结构的柱状体，所述基座的上表面、下表面、前侧面、后侧面中的任意一个或多个作为一LED芯片安装面。