[发明专利]OLED面板及其制备方法、显示装置有效
| 申请号: | 201410169083.7 | 申请日: | 2014-04-24 |
| 公开(公告)号: | CN103996693A | 公开(公告)日: | 2014-08-20 |
| 发明(设计)人: | 皇甫鲁江;马文昱;石磊;张粲;梁逸南 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | oled 面板 及其 制备 方法 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种OLED面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,简称OLED)单元是一种有机薄膜电致发光器件,其具有制备工艺简单、成本低、发光效率高、易形成柔性结构、视角宽等优点。因此,利用有机发光二极管的显示技术已成为一种重要的显示技术。
其中,OLED单元包括阳极层、阴极层和有机发光层,阳极层和阴极层之间具有一定的电压差激发有机发光层发光,但由于OLED单元的有机发光层通常封装在阴极层和阳极层之间,无论OLED单元的出光面在阴极层一侧还是阳极层一侧,都会因为阴极层或阳极层的折射率远大于空气的折射率使得有机发光层发出的光大部分在表面发生全反射,之后在有机发光层内部传播,导致现有技术中的OLED单元的出光率较低,一般仅有不到20%,降低了对OLED单元发出的光的利用率,影响了OLED面板的显示质量。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种OLED面板及其制备方法、显示装置,能够提高对OLED单元发出的光的利用率,提高OLED面板的发光效率,提高OLED面板的显示质量。
为解决上述技术问题,本发明采用如下技术方案:
本发明第一方面提供了一种OLED面板,包括:衬底基板,形成于所述衬底基板上的若干个OLED单元,所述OLED单元包括第一绝缘衬底、阳极层、有机发光层和阴极层,所述OLED面板还包括:
形成于所述衬底基板上的、设置于所述OLED单元周边,部分或完全包围所述OLED单元的反射结构,所述反射结构形成有反射面,所述反射面用于将所述有机发光层侧面终端发出的光反射至所述OLED面板外。
所述反射结构包括第二绝缘衬底和金属层,所述第二绝缘衬底位于所述OLED单元周边,部分或完全包围所述OLED单元,所述金属层形成于所述第二绝缘衬底的表面,所述金属层面向所述OLED单元的一面为反射面。
所述第二绝缘衬底形成有开口,所述开口部分或完全包围所述OLED单元,所述开口的底表面的面积尺寸小于顶表面的面积尺寸,并且所述顶表面的垂向投影覆盖所述底表面。
所述第二绝缘衬底的高度大于所述OLED单元的高度。
所述开口的表面为平面或弧面。
所述金属层与所述阳极层同时形成。
在本发明实施例的技术方案中,提供了一种OLED面板,该OLED面板包括OLED单元和设置于所述OLED单元周边,部分或完全包围所述OLED单元的反射结构,所述反射结构形成有反射面,所述反射面用于将所述有机发光层侧面终端发出的光反射至所述OLED面板外,显然,无法从OLED的出光面发出的光才能从有机发光层的侧面终端发出,因此,设置有反光结构可充分利用OLED的有机发光层发出的光,有利于提高显示装置的显示效果。
本发明第二方面提供了一种显示装置,包括上述的OLED面板。
本发明第三方面提供了一种OLED面板的制备方法,包括:
在衬底基板上形成OLED单元;
在所述衬底基板上形成反射结构,所述反射结构位于所述OLED单元周边,部分或完全包围所述OLED单元,所述反射结构形成有反射面;
其中,所述OLED单元包括第一绝缘衬底、阳极层、有机发光层和阴极层,所述反射面用于将所述有机发光层侧面终端发出的光反射至所述OLED面板外。
所述在衬底基板上形成反射结构包括:
在所述衬底基板上形成第二绝缘衬底,所述第二绝缘衬底位于周边,部分或完全包围OLED单元;
在所述第二绝缘衬底的表面形成金属层,所述金属层面向所述OLED单元的一面为反射面。
所述形成第二绝缘衬底,所述第二绝缘衬底位于所述OLED单元的周边,部分或完全包围OLED单元包括:
形成所述第二绝缘衬底,并形成所述第二绝缘衬底的开口,所述开口部分或完全包围所述OLED单元,所述开口的底表面的面积尺寸小于顶表面的面积尺寸,并且所述顶表面的垂向投影覆盖所述底表面。
所述第二绝缘衬底的高度大于所述OLED单元的高度。
所述开口的表面为平面或弧面。
所述金属层与所述阳极层同时形成。
附图说明
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
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H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





