[发明专利]OLED面板及其制备方法、显示装置有效

专利信息
申请号: 201410169083.7 申请日: 2014-04-24
公开(公告)号: CN103996693A 公开(公告)日: 2014-08-20
发明(设计)人: 皇甫鲁江;马文昱;石磊;张粲;梁逸南 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: oled 面板 及其 制备 方法 显示装置
【权利要求书】:

1.一种OLED面板,包括:衬底基板,形成于所述衬底基板上的若干个OLED单元,所述OLED单元包括第一绝缘衬底、阳极层、有机发光层和阴极层,其特征在于,所述OLED面板还包括:

形成于所述衬底基板上的、设置于所述OLED单元周边,部分或完全包围所述OLED单元的反射结构,所述反射结构形成有反射面,所述反射面用于将所述有机发光层侧面终端发出的光反射至所述OLED面板外。

2.根据权利要求1所述的OLED面板,其特征在于,所述反射结构包括第二绝缘衬底和金属层,所述第二绝缘衬底位于所述OLED单元周边,部分或完全包围所述OLED单元,所述金属层形成于所述第二绝缘衬底的表面,所述金属层面向所述OLED单元的一面为反射面。

3.根据权利要求2所述的OLED面板,其特征在于,所述第二绝缘衬底形成有开口,所述开口部分或完全包围所述OLED单元,所述开口的底表面的面积尺寸小于顶表面的面积尺寸,并且所述顶表面的垂向投影覆盖所述底表面。

4.根据权利要求3所述的OLED面板,其特征在于,所述第二绝缘衬底的高度大于所述OLED单元的高度。

5.根据权利要求3或4所述的OLED面板,其特征在于,所述开口的表面为平面或弧面。

6.根据权利要求5所述的OLED面板,其特征在于,所述金属层与所述阳极层同时形成。

7.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-6任一项所述的OLED面板。

8.一种OLED面板的制备方法,其特征在于,包括:

在衬底基板上形成OLED单元;

在所述衬底基板上形成反射结构,所述反射结构位于所述OLED单元周边,部分或完全包围所述OLED单元,所述反射结构形成有反射面;

其中,所述OLED单元包括第一绝缘衬底、阳极层、有机发光层和阴极层,所述反射面用于将所述有机发光层侧面终端发出的光反射至所述OLED面板外。

9.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,所述在衬底基板上形成反射结构包括:

在所述衬底基板上形成第二绝缘衬底,所述第二绝缘衬底位于所述OLED单元的周边,部分或完全包围OLED单元;

在所述第二绝缘衬底的表面形成金属层,所述金属层面向所述OLED单元的一面为反射面。

10.根据权利要求9所述的制备方法,其特征在于,所述形成第二绝缘衬底,所述第二绝缘衬底位于所述OLED单元的周边,部分或完全包围OLED单元包括:

形成所述第二绝缘衬底,并形成所述第二绝缘衬底的开口,所述开口部分或完全包围所述OLED单元,所述开口的底表面的面积尺寸小于顶表面的面积尺寸,并且所述顶表面的垂向投影覆盖所述底表面。

11.根据权利要求10所述的制备方法,其特征在于,所述第二绝缘衬底的高度大于所述OLED单元的高度。

12.根据权利要求10或11所述的制备方法,其特征在于,所述开口的表面为平面或弧面。

13.根据权利要求12所述的制备方法,其特征在于,所述金属层与所述阳极层同时形成。

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