[发明专利]OLED面板及其制备方法、显示装置有效
| 申请号: | 201410169083.7 | 申请日: | 2014-04-24 |
| 公开(公告)号: | CN103996693A | 公开(公告)日: | 2014-08-20 |
| 发明(设计)人: | 皇甫鲁江;马文昱;石磊;张粲;梁逸南 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | oled 面板 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种OLED面板,包括:衬底基板,形成于所述衬底基板上的若干个OLED单元,所述OLED单元包括第一绝缘衬底、阳极层、有机发光层和阴极层,其特征在于,所述OLED面板还包括:
形成于所述衬底基板上的、设置于所述OLED单元周边,部分或完全包围所述OLED单元的反射结构,所述反射结构形成有反射面,所述反射面用于将所述有机发光层侧面终端发出的光反射至所述OLED面板外。
2.根据权利要求1所述的OLED面板,其特征在于,所述反射结构包括第二绝缘衬底和金属层,所述第二绝缘衬底位于所述OLED单元周边,部分或完全包围所述OLED单元,所述金属层形成于所述第二绝缘衬底的表面,所述金属层面向所述OLED单元的一面为反射面。
3.根据权利要求2所述的OLED面板,其特征在于,所述第二绝缘衬底形成有开口,所述开口部分或完全包围所述OLED单元,所述开口的底表面的面积尺寸小于顶表面的面积尺寸,并且所述顶表面的垂向投影覆盖所述底表面。
4.根据权利要求3所述的OLED面板,其特征在于,所述第二绝缘衬底的高度大于所述OLED单元的高度。
5.根据权利要求3或4所述的OLED面板,其特征在于,所述开口的表面为平面或弧面。
6.根据权利要求5所述的OLED面板,其特征在于,所述金属层与所述阳极层同时形成。
7.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-6任一项所述的OLED面板。
8.一种OLED面板的制备方法,其特征在于,包括:
在衬底基板上形成OLED单元;
在所述衬底基板上形成反射结构,所述反射结构位于所述OLED单元周边,部分或完全包围所述OLED单元,所述反射结构形成有反射面;
其中,所述OLED单元包括第一绝缘衬底、阳极层、有机发光层和阴极层,所述反射面用于将所述有机发光层侧面终端发出的光反射至所述OLED面板外。
9.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,所述在衬底基板上形成反射结构包括:
在所述衬底基板上形成第二绝缘衬底,所述第二绝缘衬底位于所述OLED单元的周边,部分或完全包围OLED单元;
在所述第二绝缘衬底的表面形成金属层,所述金属层面向所述OLED单元的一面为反射面。
10.根据权利要求9所述的制备方法,其特征在于,所述形成第二绝缘衬底,所述第二绝缘衬底位于所述OLED单元的周边,部分或完全包围OLED单元包括:
形成所述第二绝缘衬底,并形成所述第二绝缘衬底的开口,所述开口部分或完全包围所述OLED单元,所述开口的底表面的面积尺寸小于顶表面的面积尺寸,并且所述顶表面的垂向投影覆盖所述底表面。
11.根据权利要求10所述的制备方法,其特征在于,所述第二绝缘衬底的高度大于所述OLED单元的高度。
12.根据权利要求10或11所述的制备方法,其特征在于,所述开口的表面为平面或弧面。
13.根据权利要求12所述的制备方法,其特征在于,所述金属层与所述阳极层同时形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





