[发明专利]具有在嵌入式管芯上捕获导电部件的高密度互连设计的封装衬底

权利要求书

1.一种封装组件，包括：

封装衬底，具有安装在所述封装衬底的表面上的管芯；

电桥，嵌入在所述封装衬底中，所述电桥包括电桥衬底，其中所述电桥衬底包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，其中所述第一表面被布置为相比所述第二表面更靠近所述封装衬底的所述表面，并且其中所述第一表面与所述第二表面之间的距离界定了衬底厚度；以及

包括过孔的互连结构，所述过孔延伸穿过所述第一表面到所述电桥衬底中在小于所述衬底厚度的一半的深度处，以便与布置在所述电桥衬底的所述第一表面上或下方的导电部件接合，其中，以导电材料填充所述过孔以在所述过孔之上形成导电柱体，其中所述导电柱体穿过所述封装衬底的表面突出出来，并且其中所述导电柱体的直径小于所述过孔的形成在所述封装衬底的所述表面上的基部的直径，

其中，所述互连结构被配置为在所述导电部件与安装在所述封装衬底的所述表面上的所述管芯之间传送电信号。

2.根据权利要求1所述的封装组件，其中，所述导电部件包括所述导电材料，所述导电材料包括铜(Cu)。

3.根据权利要求2所述的封装组件，其中，所述导电柱体被配置为在所述导电部件与所述管芯之间传送电信号，其中，所述管芯与所述导电柱体电耦合。

4.根据权利要求1所述的封装组件，其中，所述电信号是输入/输出(I/O)信号。

5.根据权利要求1所述的封装组件，其中，所述电桥衬底包括玻璃、陶瓷、或半导体材料，所述半导体材料包括硅(Si)，并且其中，所述封装衬底包括电介质材料，所述电介质材料包括氧化硅(SiO₂)。

6.根据权利要求1所述的封装组件，其中，所述管芯是逻辑管芯或存储器管芯。

7.根据权利要求1所述的封装组件，其中，所述过孔的直径大于所述导电部件的直径。

8.根据权利要求7所述的封装组件，其中，所述导电部件包括导电线路。

9.根据权利要求8所述的封装组件，其中，所述电桥包括另一个互连结构，所述另一个互连结构经由所述导电线路而与所述互连结构耦合，所述导电线路布置在所述互连结构与所述另一个互连结构之间的所述电桥衬底内，以提供在所述管芯与安装在所述封装衬底的表面上的另一个管芯之间的电连接，所述另一个管芯与所述另一个互连结构电耦合。

10.根据权利要求1-9中的任一项所述的封装组件，其中，使用Ajinomoto内建膜(ABF)层合将所述电桥衬底嵌入到所述封装衬底中。

11.一种包括电桥衬底的装置，其中，所述电桥衬底包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，其中所述第一表面被布置为相比所述第二表面更靠近封装衬底的所述表面，并且其中所述第一表面与所述第二表面之间的距离界定了衬底厚度，所述装置还包括：

至少一个互连结构，包括过孔，所述过孔延伸穿过所述第一表面到所述电桥衬底中在小于所述衬底厚度的一半的深度处，以便与布置在所述电桥衬底的所述第一表面上或下方的导电部件接合，其中，以导电材料填充所述过孔以在所述过孔之上形成导电柱体，其中所述导电柱体穿过所述封装衬底的表面突出出来，并且其中所述导电柱体的直径小于所述过孔的形成在所述封装衬底的所述表面上的基部的直径，

其中，所述互连结构被配置为在所述导电部件与安装在所述封装衬底的所述表面上的管芯之间传送电信号。

12.根据权利要求11所述的装置，其中，所述导电柱体从导电元件的末端延伸，所述末端与接合所述导电部件的另一个末端相反，所述导电柱体被配置为与所述管芯电耦合。

13.根据权利要求11所述的装置，其中，所述电信号是输入/输出(I/O)信号。

14.根据权利要求11所述的装置，其中，所述电桥衬底包括玻璃、陶瓷或半导体材料。

15.根据权利要求11所述的装置，其中，所述导电元件与所述导电部件包括导电材料，所述导电材料包括铜(Cu)，其中，所述导电部件包括导电线路。

16.根据权利要求11所述的装置，进一步包括所述管芯，其中，所述导电元件包括过孔，所述过孔穿过布置在所述电桥衬底之上的电介质衬底而形成，并且所述管芯布置在所述电桥衬底上且与所述导电元件电耦合。