[发明专利]一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制作方法有效
申请号: | 201410163006.0 | 申请日: | 2014-04-22 |
公开(公告)号: | CN103972242A | 公开(公告)日: | 2014-08-06 |
发明(设计)人: | 李卿硕 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L23/538;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示装置 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制作方法。
背景技术
目前,阵列基板作为液晶显示装置的重要元器件,在模组组装、环境模拟试验等过程中,需要通过其栅极焊垫和源漏极焊垫对阵列基板进行扫描信号和数据信号的测试,以保障其电学特性的可靠性。
如图1所示,现有的阵列基板的栅极焊垫通常依次包括:位于衬底基板上的栅极层10、栅极绝缘层11、源漏极层13、钝化层14以及第二透明导电层15,其中,栅极层10包括焊接区域,源漏极层13包括位于焊接区域上方的源漏极,栅极绝缘层11包括使第二透明导电层15与焊接区域导电接触的焊垫过孔111’,钝化层14包括使第二透明导电层15与源漏极导电接触的钝化层过孔141’。由图中可以看出,在液晶显示装置的制作和运输过程中,电解液极易通过焊垫过孔111’处的第二透明导电层渗透至栅极层的焊接区域并腐蚀栅极层,进而影响阵列基板的栅极焊垫的电学性能,导致产品的可靠性降低甚至失效,尤其当第二透明导电层为氧化铟锡层时,由于氧化铟锡层自身的孔隙较大,致密性较差,上述缺陷更加严重。
发明内容
本发明提供了一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制作方法,用以提高产品的良品率和可靠性。
本发明提供的阵列基板,包括多个栅极焊垫,每一个所述栅极焊垫包括:位于衬底基板之上的栅极层,位于所述栅极层之上的栅极绝缘层,位于所述栅极绝缘层之上的第一透明导电层,位于所述第一透明导电层之上的钝化层,以及位于所述钝化层之上的第二透明导电层,其中,
所述栅极层包括栅极焊接区域;所述栅极绝缘层开设有位于所述栅极焊接区域上方的至少一个第一过孔;所述第一透明导电层通过每一个第一过孔与所述栅极焊接区域导电接触;所述钝化层开设有至少一个第二过孔,所述第二透明导电层通过每一个第二过孔与所述第一透明导电层导电接触。
在本发明技术方案中,由于阵列基板的第二透明导电层通过位于栅极绝缘层上方的第一透明导电层与栅极焊接区域导电接触,而未直接与栅极焊接区域导电接触,因此,即使电解液穿过第二过孔处的第二透明导电层和第一透明导电层出现渗透,第一透明导电层下方的栅极绝缘层能够有效地防止电解液进一步渗透至栅极层而引起栅极层的腐蚀,从而有效地防止了栅极焊垫的腐蚀情况发生,进而提高产品的良品率和可靠性。
进一步的,所述栅极焊垫为集成电路的栅极焊垫,所述集成电路的栅极焊垫还包括位于所述第一透明导电层与所述钝化层之间且包括位于所述栅极焊接区域上方的源漏极的源漏极层,所述至少一个第二过孔未露出所述源漏极层。
优选的,该阵列基板还包括多个源漏极焊垫,每一个所述源漏极焊垫包括:位于所述栅极绝缘层之上的第一透明导电层,位于所述第一透明导电层之上的源漏极层,位于所述源漏极层之上的钝化层,以及位于所述钝化层之上的第二透明导电层,其中,
所述源漏极层包括源漏极焊接区域,所述钝化层开设有至少一个未露出所述源漏极层的第三过孔,所述第二透明导电层通过每一个所述第三过孔与所述第一透明导电层导电接触。
优选的,所述第一透明导电层包括氧化铟锡层,和/或,所述第二透明导电层包括氧化铟锡层。
本发明还提供了一种显示装置,包括:前述任一技术方案所述的阵列基板。由于本显示装置中阵列基板的栅极焊垫中的第二透明导电层通过位于栅极绝缘层上方的第一透明导电层与栅极焊接区域导电接触,而未直接与栅极焊接区域导电接触,能够有效地防止阵列基板上各个栅极焊垫的腐蚀情况发生,所以该显示装置的良品率和可靠性较高。
本发明还提供一种显示面板的制作方法,包括:
在衬底基板上形成包括栅极焊接区域的栅极层的图形;
在所述栅极层的图形之上形成包括位于所述栅极焊接区域上方的至少一个第一过孔的栅极绝缘层的图形;
在所述栅极绝缘层的图形之上形成通过每一个第一过孔与所述栅极焊接区域导电接触的第一透明导电层的图形;
在所述第一透明导电层的图形之上形成包括至少一个第二过孔的钝化层的图形;
在所述钝化层的图形之上形成通过每一个第二过孔与所述第一透明导电层导电接触的第二透明导电层的图形。
附图说明
图1为现有技术阵列基板的剖面结构示意图;
图2为本发明阵列基板一实施例靠近集成电路区域的俯视结构示意图;
图3为图2示出的阵列基板中A处一实施例的剖面结构放大示意图;
图4为图2示出的阵列基板中A处另一实施例的剖面结构放大示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的