[发明专利]半导体元件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件的制造方法，包括：

在基底中形成多个隔离结构，其中每一隔离结构的顶表面高过于该基底的顶表面，而相邻的隔离结构和位于其间的该基底定义出第一沟渠；

在该基底上形成覆盖所述多个隔离结构且部分填满每一第一沟渠的第一导电层；

在每一第一沟渠中的该第一导电层上形成保护层；

使该第一导电层表面的一部分氧化，以形成牺牲层；

移除该牺牲层以及该保护层；以及

形成覆盖该第一导电层且填满每一第一沟渠的第二导电层。

2.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中，使该第一导电层表面的一部分氧化时，该第一导电层被该保护层覆盖的部分不被氧化。

3.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中，使该第一导电层表面的一部分氧化的方法，包括对该第一导电层进行快速热氧化制造工艺。

4.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中，该牺牲层覆盖每一隔离结构，但不覆盖每一第一沟渠的底部。

5.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中，形成该保护层的方法包括：

在该第一导电层上形成填满每一第一沟渠的氧化保护层；以及

移除位于所述多个隔离结构上方的该氧化保护层以及位于每一第一沟渠中的该氧化保护层的一部分。

6.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中，该保护层的厚度小于每一第一沟渠的深度的二分之一。

7.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中，该保护层暴露出位于该第一沟渠的侧壁上的该第一导电层的一部分。

8.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中，形成该保护层的方法包括在该基底上形成一层旋涂式玻璃。

9.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，更包括在形成该第一导电层之前，在每一第一沟渠的底部形成介电层。

10.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中，形成所述多个隔离结构的方法包括：

在该基底上形成掩膜图案；

以该掩膜图案为蚀刻掩膜，对该基底进行蚀刻，以形成多个第二沟渠；

形成填满所述多个第二沟渠的隔离材料层；以及

移除该掩膜图案。