[发明专利]半导体装置的生产方法

权利要求书

1.一种半导体装置的生产方法，其特征在于，包括：

第一工序，在半导体衬底晶片的一侧主面被划分为网格状的区域内的各个衬底表层形成器件芯片区域和工艺流程管理用的监控芯片区域，所述器件芯片区域具有所需的活性区域和环绕该活性区域的边缘区域，所述监控芯片区域在其中央具备感测区域；

第二工序，在所述器件芯片区域以及所述监控芯片区域的表面上通过蒸镀和光刻形成具有所需图案的金属膜之后，在所述器件芯片区域与所述监控芯片区域的各自的表面上形成保护膜；

第三工序，对所述半导体衬底晶片的另一侧主面进行抛光研磨而使所述半导体衬底晶片变薄，

其中，将所述监控芯片区域的所述保护膜在1个芯片内的占有面积的比率与所述器件芯片区域的所述保护膜在1个芯片内的占有面积的比率之差设定为20％以下。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的生产方法，其特征在于，在所述监控芯片区域内形成的所述保护膜的图案与在所述器件芯片区域内形成的所述保护膜的图案相同。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的生产方法，其特征在于，所述保护膜形成于所述器件芯片区域与所述监控芯片区域的周边区域。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的生产方法，其特征在于，所述保护膜在所述器件芯片区域中的占有面积的比率与所述保护膜在所述监控芯片区域中的占有面积的比率均在30％以下。

5.根据权利要求1至4的任一项所述的半导体装置的生产方法，其特征在于，所述保护膜为聚酰亚胺树脂膜。

6.根据权利要求1所述的半导体装置的生产方法，其特征在于，在所述第二工序中形成的所述金属膜与所述保护膜的层压区域的膜厚为10μm以上。

7.根据权利要求1所述的半导体装置的生产方法，其特征在于，所述第三工序后的所述半导体衬底晶片的厚度A与所述金属膜和所述保护膜的层压区域的膜厚B之比满足B/A＞7.7％。

8.根据权利要求1所述的半导体装置的生产方法，其特征在于，所述金属膜在所述器件芯片区域中的占有面积的比率与所述金属膜在所述监控芯片区域中的占有面积的比率均在62.6％以上。