[发明专利]延长超低介电常数材料的工艺等待时间的方法有效
| 申请号： | 201410138998.1 | 申请日： | 2014-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN103943554A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 周军;朱亚丹;贺忻 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 延长 介电常数 材料 工艺 等待时间 方法 | ||
1.一种延长超低介电常数材料的工艺等待时间的方法，其特征在于包括：
第一步骤：在超低介电常数材料中形成铜互连；
第二步骤：在超低介电常数材料中形成铜互连之后，计算沉积阻挡层的等待时间并判断沉积阻挡层的等待时间是否超过规定的等待时间，并且在沉积阻挡层的时间超过规定的等待时间的情况下执行下述第三步骤至第六步骤；
第三步骤：对硅片表面进行第一次处理，例如利用化学机械研磨对硅片表面进行第一次处理；
第四步骤：在对硅片表面进行第一次处理之后对硅片进行高温的除湿；
第五步骤：在对硅片进行高温的除湿之后利用氢等离子体对铜的表面进行第二次处理；
第六步骤：在对铜的表面进行第二次处理之后沉积阻挡层。
2.根据权利要求1所述的延长超低介电常数材料的工艺等待时间的方法，其特征在于，在第二步骤中判断在沉积阻挡层的时间未超过规定的等待时间的情况下执行下可第二步骤之后直接沉积阻挡层。
3.根据权利要求1或2所述的延长超低介电常数材料的工艺等待时间的方法，其特征在于，阻挡层的材料为SiOC或者Si3N4。
4.根据权利要求1或2所述的延长超低介电常数材料的工艺等待时间的方法，其特征在于，所述超低介电常数材料为含有孔隙的含有硅、碳、氢、氧元素的材料。
5.根据权利要求1或2所述的延长超低介电常数材料的工艺等待时间的方法，其特征在于，对硅片表面进行的第一次处理所去除的超低介电常数材料的 厚度为100-500A。
6.根据权利要求1或2所述的延长超低介电常数材料的工艺等待时间的方法，其特征在于，高温的除湿工艺中的温度为250-400℃，时间为10s至300s。
7.根据权利要求1或2所述的延长超低介电常数材料的工艺等待时间的方法，其特征在于，利用氢等离子体对铜的表面的第二次处理中，所使用的气体为纯的氢气或者氢氦混合气或者氩气，处理时间为30s至200s。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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