[发明专利]一种芯片的封装方法

权利要求书

1.一种芯片的封装方法，其特征在于包括以下步骤：

制作可以承载一颗或多颗芯片的封装基板，所述封装基板包括有机板材和制作在该有机板材上用于引出芯片引脚的线路层，在所述有机板材上开设有与芯片引脚对应一致的引脚孔以漏出的线路层；

使一颗或多颗芯片引脚获取助焊膏，并将各颗芯片引脚与封装基板上的引脚孔对齐；

将一颗或多颗芯片引脚同时对位到封装基板上对应的孔内并完成芯片引脚与线路层的连接；

在芯片外通过形成塑封体后，切割成单颗芯片。

2.根据权利要求1所述的芯片的封装方法，其特征在于：

所述封装基板为单面板，具体包括有机板材、位于有机板材背面的中间线路层、以及位于中间线路层之下的保护膜，所述封装基板的制作具体包括以下子步骤：

在有机板材上采用激光钻孔开设与芯片引脚对应一致的引脚孔，并漏出其背面的金属铜箔；

通过金属图形化工艺在所述金属铜箔上蚀刻得到与芯片引脚对应一致的线路层；

在线路层上涂覆保护油墨或覆盖保护膜。

3.根据权利要求1所述的芯片的封装方法，其特征在于：

所述封装基板为双面板，具体包括有机板材、位于有机板材背面的中间线路层、位于所述有机板材上表面的表面线路层、以及位于所述中间线路层之下的保护膜，所述表面线路层与中间线路层通过贯穿有机板材的导孔实现电连接，所述封装基板的制作具体包括以下子步骤：

在有机板材上采用激光钻孔开设与芯片引脚对应一致的引脚孔，并漏出其背面的金属铜箔；

通过金属图形化工艺在有机板材的上下表面的金属铜箔上进行蚀刻得到与芯片引脚对应一致的线路层；

在线路层上涂覆保护油墨或覆盖保护膜。

4.根据权利要求2或3所述的芯片的封装方法，其特征在于：

所述有机板材的厚度为10-200微米。

5.根据权利要求2或3所述的芯片的封装方法，其特征在于：

所述金属铜箔厚度为6-70微米。

6.根据权利要求2或3所述的芯片的封装方法，其特征在于：

所述油墨或保护膜厚度为10～100微米。

7.根据权利要求2或3所述的芯片的封装方法，其特征在于，在线路层上涂覆保护油墨或覆盖保护膜之后还包括以下子步骤：

通过有机保焊膜（OSP）、化学镍金（ENIG）、化学镍钯金（ENEPIG）、抗氧化、化学镀纯锡、电镀纯锡中的任一种或多种方式对封装基板进行表面处理。

8.根据权利要求2或3所述的芯片的封装方法，其特征在于：

所述芯片引脚与线路层的连接具体采用热压或回流焊连接。

9.根据权利要求2或3任一项所述的芯片的封装方法，其特征在于：

所述封装基板的有机板材为环氧玻璃布层压板（FR-4）、聚酰亚胺（PI）、涤纶树脂（PET）、液晶聚合物（LCP）、聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN）、聚四氟乙烯（PTFE）系薄膜中的任意一种或多种。

10.根据权利要求2或3任一项所述的芯片的封装方法，其特征在于：

所述芯片为引脚小于等于300脚的芯片。