[发明专利]半导体设备及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体设备，包括：

源极；

漏极；

形成在所述源极和所述漏极之上的层间绝缘膜；

保护膜，其被形成为覆盖所述源极和所述漏极中的每一个的上表面和侧表面；以及

分别电连接到所述源极和所述漏极的连接部，

其中，

在所述层间绝缘膜与被覆盖以所述保护膜的所述源极的上表面和侧表面、被覆盖以所述保护膜的所述漏极的上表面和侧表面以及所述连接部的部分表面之间形成空腔；以及

被覆盖以所述保护膜的所述源极和被覆盖以所述保护膜的所述漏极被完全地包含在所述空腔内。

2.根据权利要求1所述的半导体设备，

其中，所述层间绝缘膜由多孔绝缘材料制成。

3.根据权利要求1或2所述的半导体设备，还包括：

化合物半导体层，

其中，所述源极和所述漏极被形成于所述化合物半导体层之上。

4.一种制造半导体设备的方法，包括：

形成源极；

形成漏极；

形成保护膜，所述保护膜覆盖所述源极和所述漏极中的每一个的上表面和侧表面；

用填充材料覆盖所述源极和所述漏极；

形成覆盖所述填充材料的层间绝缘膜；

形成连接部，该连接部穿透所述保护膜、所述填充材料和所述层间绝缘膜并且电连接到所述源极和所述漏极；以及

去除所述填充材料以在所述层间绝缘膜与被覆盖以所述保护膜的所述源极的上表面和侧表面、被覆盖以所述保护膜的所述漏极的上表面和侧表面以及所述连接部的部分表面之间形成空腔，

其中，被覆盖以所述保护膜的所述源极和被覆盖以所述保护膜的所述漏极被完全地包含在所述空腔内。

5.根据权利要求4所述的制造半导体设备的方法，

其中，所述层间绝缘膜由多孔绝缘材料制成，并且

其中，通过所述层间绝缘膜中的孔隙来去除所述填充材料以形成所述空腔。

6.根据权利要求5所述的制造半导体设备的方法，

其中，所述填充材料是光分解材料，并且

其中，所述填充材料通过光分解而被去除。

7.根据权利要求6所述的制造半导体设备的方法，

其中，所述层间绝缘膜由具有使紫外线透过的特性的材料制成，并且

其中，将紫外线施加到所述层间绝缘膜以使所述填充材料光分解。

8.根据权利要求7所述的制造半导体设备的方法，

其中，将波长大于等于250nm且小于等于400nm的紫外线施加到所述层间绝缘膜。

9.根据权利要求5所述的制造半导体设备的方法，

其中，所述填充材料是在过热蒸汽或超临界水中溶解的材料，并且

其中，所述填充材料通过过热蒸汽或超临界水而被溶解并去除。

10.根据权利要求4至9中任一项所述的制造半导体设备的方法，

其中，所述源极和所述漏极被形成于化合物半导体层之上。

11.一种包括变压器以及跨所述变压器的高压电路和低压电路的电源电路，

所述高压电路包括晶体管，

所述晶体管包括：

源极；

漏极；

形成于所述源极和所述漏极之上的层间绝缘膜；

保护膜，所述保护膜被形成为覆盖所述源极和所述漏极中的每一个的上表面和侧表面；以及

分别电连接到所述源极和所述漏极的连接部，

其中，

在所述层间绝缘膜与被覆盖以所述保护膜的所述源极的上表面和侧表面、被覆盖以所述保护膜的所述漏极的上表面和侧表面以及所述连接部的部分表面之间形成空腔；以及

被覆盖以所述保护膜的所述源极和被覆盖以所述保护膜的所述漏极被完全地包含在所述空腔内。

12.一种用于放大被输入的高频电压并且输出所产生的高频电压的高频放大器，所述高频放大器包括：

晶体管，

所述晶体管包括：

源极；

漏极；

形成于所述源极和所述漏极之上的层间绝缘膜；

保护膜，所述保护膜被形成为覆盖所述源极和所述漏极中的每一个的上表面和侧表面；以及

分别电连接到所述源极和所述漏极的连接部，

其中，

在所述层间绝缘膜与被覆盖以所述保护膜的所述源极的上表面和侧表面、被覆盖以所述保护膜的所述漏极的上表面和侧表面以及所述连接部的部分表面之间形成空腔；以及

其中，被覆盖以所述保护膜的所述源极和被覆盖以所述保护膜的所述漏极被完全地包含在所述空腔内。