[发明专利]OLED阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及OLED阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置。

背景技术

在有机发光（OLED，Organic Light-Emitting Diode）显示技术中，如图1所示，为传统的顶发射结构中的反射层结构。由图1可知，反射层由上至下依次包括第一ITO层101、金属层102、第二ITO层103，所述第一ITO层101使用材料为氧化铟锡（ITO，Indium Tin Oxides），所述金属层102使用材料为金属单质银（Ag）、所述第二ITO层103使用材料为氧化铟锡（ITO，Indium Tin Oxides），三层膜层结构共同作为反射层。其中，位于最上层的第一ITO层101的厚度为100～250A，而且具有导电性好、透明度高、功函数高等优点，被用作像素电极的阳极，可有效提高显示效率。位于中间层的金属层102的厚度为1000～1500A，由于金属单质银（Ag）具有优良的反射率和延展性，因此，在该反射层中起到反射和导电的作用。位于最下层的第二ITO层103的厚度为100～250A，用于隔离下方的平坦化层104和上方的金属层102，避免金属层102与平坦化层104或者有源层105接触，防止金属层102发生形变或被氧化。

然而，在图1的反射层结构中，第一ITO层101和第二ITO层103的材料ITO能够吸收空气中的水汽和二氧化碳，而导致ITO发生化学反应，影响第一ITO层101和第二ITO层103的透明性和导电性。

发明内容

本发明实施例提供一种OLED阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置，用以改善现有技术中存在的反射层成本较大以及两层ITO膜层易发生霉变的问题。

本发明实施例采用以下技术方案：

一种OLED阵列基板，包含有多个OLED像素单元，且任一OLED像素单元包括：第一电极，第二电极，以及位于所述第一电极与所述第二电极之间的发光结构层；其中，所述第一电极包括：位于底层的金属单质膜层、位于金属单质膜层之上的合金膜层、以及位于合金膜层之上的ITO膜层，所述合金膜层为所述金属单质与汞以设定质量比例混合而成的合金所形成的膜层。

一种显示面板，包括所述的OLED阵列基板。

一种显示装置，包括所述的显示面板。

一种OLED阵列基板的制备方法，包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板之上形成TFT阵列，其中，所述第一电极比所述第二电极更靠近所述衬底基板；在所述TFT阵列之上形成多个OLED像素单元，包括：通过三次沉积形成第一电极，在所述第一电极之上形成发光结构层，在所述发光结构层之上形成第二电极；其中，通过三次沉积形成第一电极，具体包括：在所述TFT阵列之上利用第一次沉积形成金属单质膜层，在所述金属单质膜层之上利用第二次沉积形成合金膜层，在所述合金膜层之上利用第三次沉积形成ITO膜层。

在本发明实施例中，通过利用锡汞齐较高的反射率和较好的导电率，将其替代现有技术中反射层的金属单质银，避免了硫化银的产生；由于避免了最下层使用ITO，降低了整个反射层的ITO发生霉变的情况；同时，锡汞齐形成的合金膜层和单质锡形成的金属单质膜层的整体厚度较小。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中的反射层结构示意图；

图2为本发明实施例中的OLED阵列基板的结构示意图；

图3为本发明实施例中的OLED阵列基板的制备方法的步骤流程图；

图4（a）为本发明实施例中的作为反射层的第一电极形成初期的结构示意图；

图4（b）为本发明实施例中的第一电极形成后期的结构示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。