[发明专利]硅氧化膜的形成方法以及硅氧化膜的形成装置

权利要求书

1.一种硅氧化膜的形成方法，在该形成方法中进行一次以上组合工序，该组合工序包括如下工序：

待机工序，将被处理体收纳／回收到舟皿内；

装载工序，将收纳在上述舟皿内的被处理体收纳到反应室内；

硅氧化膜形成工序，在收纳于上述反应室内的被处理体形成硅氧化膜；

卸载工序，将形成有上述硅氧化膜的被处理体输送到上述反应室外，其中，

在上述卸载工序、上述待机工序以及上述装载工序的至少1个工序中，在对上述反应室内进行加热的同时，向该反应室内供给含有水蒸气的气体。

2.根据权利要求1所述的硅氧化膜的形成方法，其中，

上述气体内的水蒸气的浓度为1%以上。

3.根据权利要求1所述的硅氧化膜的形成方法，其中，

在上述卸载工序、上述待机工序以及上述装载工序中，在对上述反应室内进行加热的同时，向该反应室内供给含有水蒸气的气体。

4.根据权利要求1所述的硅氧化膜的形成方法，其中，

在上述硅氧化膜形成工序中，在将上述反应室内的压力减压到了小于常压的状态下在上述被处理体形成硅氧化膜，

上述组合工序还具有将上述反应室内的压力变为常压的常压复原工序，该常压复原工序在上述硅氧化膜形成工序和上述卸载工序之间进行，

在上述常压复原工序内使上述反应室内复原到常压的同时，向上述反应室内供给含有水蒸气的气体，或者与上述卸载工序开始同时地向上述反应室内供给含有水蒸气的气体。

5.根据权利要求1所述的硅氧化膜的形成方法，其中，

只在上述待机工序中对上述反应室内进行加热的同时，向该反应室内供给含有水蒸气的气体。

6.根据权利要求5所述的硅氧化膜的形成方法，其中，

在上述待机工序中，在以使上述反应室内达到预定的压力的方式供给了含有上述水蒸气的气体后，以使该反应室内的压力达到26.6kPa以下的方式供给氮气来进行氮气置换。

7.根据权利要求1所述的硅氧化膜的形成方法，其中，

向上述反应室内供给的、含有水蒸气的气体是水蒸气、氮气以及氧气的混合气体，或者是空气。

8.根据权利要求1所述的硅氧化膜的形成方法，其中，

上述硅氧化膜形成工序具有：

吸附工序，向收纳有上述被处理体的反应室内供给硅源气体，并使硅吸附于上述被处理体；

氧化工序，向在上述吸附工序中所吸附的硅供给氧化气体，使该硅氧化而在上述被处理体上形成硅氧化膜，

该硅氧化膜的形成方法进行一次以上包括上述吸附工序和上述氧化工序的组合工序。

9.根据权利要求8所述的硅氧化膜的形成方法，其中，

在上述氧化工序中，向被设定为200℃～600℃的反应室内供给臭氧并使臭氧活化，向上述吸附的硅供给该被活化了的臭氧而使该硅氧化，从而在上述被处理体形成硅氧化膜。

10.一种硅氧化膜的形成装置，其具有：

反应室，其用于收纳被收纳于舟皿内的被处理体；

加热部件，其用于将上述反应室内加热到预定的温度；

成膜用气体供给部件，其用于向上述反应室内供给成膜用气体；

气体供给部件，其用于向上述反应室内供给含有水蒸气的气体；以及

控制部件，其用于控制装置的各部分，

上述控制部件进行一次以上组合工序，该组合工序包括如下工序：

待机工序，将被处理体收纳／回收到上述舟皿内；

装载工序，将收纳于上述舟皿内的上述被处理体收纳到反应室内；

硅氧化膜形成工序，通过控制上述成膜用气体供给部件，而在收纳于上述反应室内的被处理体形成硅氧化膜；

卸载工序，将形成有上述硅氧化膜的被处理体输送到上述反应室外，

在上述卸载工序、上述待机工序以及上述装载工序的至少1个工序中，在控制上述加热部件而将上述反应室内加热了的状态下，控制上述气体供给部件而向上述反应室内供给含有水蒸气的气体。