[发明专利]一种冗余图形的填充方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种冗余图形的填充方法。

背景技术

半导体版图中，图形密度对刻蚀、研磨等工艺有直接影响；足够高的图形密度有助于改善版图图形密度的均匀性，进而保证光阻刻蚀后的线宽均一性、以及研磨后的晶圆表面平坦度，因此对晶圆良率有着重要的影响。

随着半导体技术节点的不断减小，版图的图形密度对良率的影响越来越大，因此，半导体从业者需要在设计图形周围加入冗余图形来提高版图的图形密度，即版图的图形密度=（设计图形面积+冗余图形面积）/设计规则检查的面积。

在现有半导体版图中，冗余图形的填充方法都是先选出冗余图形的可置区域，随后在该区域内填充各种特定尺寸的冗余图形。

其中，冗余图形的可置区域为除冗余图形的禁止区域以外的其他区域，此区域内可置入冗余图形；

冗余图形的禁止区域为不可置入冗余图形的区域，包括设计图形以及距离设计图形一定距离内的空白区域和其他特殊规定的区域；

图1为现有技术中版图的局部示意图，如图1所示，用现有技术画出的冗余图形4的为正方形，尺寸只有固定的几种，并且冗余图形4边长尺寸范围为0.4～0.8um与冗余图形之间的距离范围为0.2～0.4um，此种冗余图形有1/3的可置区域面积是空白的；又因为现有技术中的冗余图形必须是整个出现，所以很多可置区域的边角上因为不能容纳一个完整的冗余图形，因而不能被填充进冗余图形。上述原因使得此窗口不能填充足够的冗余图形，图形密度不能得以提高。从而降低了整个版图的图形密度均一性，使晶圆在刻蚀后及化学机械研磨后的平坦度变差。

中国专利（CN103441096A）公开了了一种冗余图形填充方法，通过将版图划分为空旷区域和非空旷区域，针对空旷区域采用传统的填充方法进行填充，而针对非空旷区域，首先将非空旷区域的空白区域各边向内缩小一定距离，得到和空白区域形状相同的图形，将不符合尺寸要求的图形予以滤除，并将剩余的图形进行填充。本发明将版图划分为空旷区域和非空旷区域，并根据区域的不同采取不同的填充方法，提高了冗余图形填充率和整个版图图形密度的均一性，最终提高硅片在化学机械研磨的均一性，进而提升生产工艺。

该专利主要解决了提高了冗余图形填充率和整个版图图形密度的均一性，但并未涉及到先在全部版图上填充冗余图形，然后选出冗余图形的禁止区域，再用布尔运算把位于禁止区域内的冗余图形去掉。

中国专利（CN102468134A）公开了一种利用冗余图形填充来调整芯片图形密度的方法，包括如下步骤：得到芯片制备中某个图层的可填充区域；预设一组图形密度不等的填充图形；等分为多个小块区域，设定在填充后图层的图形密度，小块区域的最小图形密度值、最大图形密度值和相邻两个小块区域间的最大图形密度差值；计算上述各小块区域初始的图形密度值；计算填入的图形密度最大的填充图形后的小块区域的图形密度值；采用虚拟图形填充的方法调整每个小块区域的图形密度；对各小块区域中的可填充区域进行填充，使填充后小块区域的图形密度值与步骤(6)所调整出的图形密度值最接近。本发明的方法，改善了填充后的局部区域图形密度的均一性。

该专利主要用于调整芯片图形的密度，但并没有涉及先在全部版图上填充冗余图形，然后选出冗余图形的禁止区域，再用布尔运算把位于禁止区域内的冗余图形去掉，从而提升版图上的图形密度。

发明内容

本发明提供一种冗余图形的填充方法，通过填充冗余图形的软件，首先将在版图全部区域内填充冗余图形，然后选出冗余图形的禁止区域，再运用布尔运算把位于禁止区域内的冗余图形去掉，通过上述方法可以实现更大面积的冗余图形填充，从而提高整个版图的图形密度，进而提高晶圆在刻蚀后线宽均一性以及化学机械研磨后平坦度。

本发明记载了一种冗余图形的填充方法，其中，所述方法包括：

S1：提供一设置有若干设计图形的版图；

S2：将若干冗余图形以彼此之间相隔一定距离填充满整个所述版图；

S3：在所述版图上设置冗余图形禁止区域；

S4：在若干所述冗余图形中，去除位于所述冗余图形禁止区域内的部分，以得到一临时冗余图形；

S5：去除小于最小规定尺寸的临时冗余图形，得到最终冗余图形；

其中，所述冗余图形禁止区域包括所述设计图形的区域，距离所述设计图形一定距离之内的扩充区域以及工艺特殊区域。

上述方法，其中，所述冗余图形均为多边形。

上述方法，其中，所述冗余图形禁止区域为多边形。