[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，在第1导电型的半导体基板的主面形成结型场效应晶体管，该半导体装置的制造方法包括：

(a)在所述半导体基板的上部形成第1导电型的漂移层的工序；

(b)通过在所述漂移层中掺杂第1杂质，在所述漂移层的表面形成第1导电型的源极层的工序；

(c)在所述(b)工序之后，将在所述漂移层的上部形成的第1绝缘膜作为掩模，对所述漂移层的所述表面进行蚀刻，由此在所述漂移层的所述表面形成按照预定的间隔配置的多个槽的工序；

(d)在所述(c)工序之后，使用垂直离子注入法在所述多个槽的各自的下部的所述漂移层中掺杂第2杂质，由此在所述多个槽的各自的下部的所述漂移层形成第1导电型的反掺杂层的工序；

(e)在所述(d)工序之后，在所述第1绝缘膜及所述槽的各自的侧壁形成由第2绝缘膜构成的侧阱间隔物的工序，所述槽的底部仅有一部分区域被所述侧阱间隔物覆盖，但所述槽的底部的另一部分区域不被所述侧阱间隔物覆盖而露出；以及

(f)在所述(e)工序之后，使用垂直离子注入法在所述多个槽的各自的下部的所述漂移层中掺杂第3杂质，由此在所述多个槽的各自的下部的所述漂移层形成第2导电型的栅极层的工序，所述源极层与所述栅极层不接触。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述槽形成为其底面位于比所述源极层靠下方的位置。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

使所述反掺杂层的杂质浓度比所述源极层的杂质浓度低。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述反掺杂层形成为与所述栅极层的侧面接触。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述半导体基板由碳化硅构成，所述第1杂质及第2杂质是氮，所述第3杂质是铝或者硼。

6.一种半导体装置的制造方法，在第1导电型的半导体基板的主面形成结型场效应晶体管，该半导体装置的制造方法包括：

(a)在所述半导体基板的上部形成第1导电型的漂移层的工序；

(b)通过在所述漂移层中掺杂第1杂质，在所述漂移层的表面形成第1导电型的源极层的工序；

(c)在所述(b)工序之后，将在所述漂移层的上部形成的第1绝缘膜作为掩模，对所述漂移层的所述表面进行蚀刻，由此在所述漂移层的所述表面形成按照预定的间隔配置的多个槽的工序；

(d)在所述(c)工序之后，使用垂直离子注入法在所述多个槽的各自的下部的所述漂移层中掺杂第2杂质，由此在比所述多个槽的各自的底面深的区域的所述漂移层形成第2导电型的第1栅极层的工序；

(e)在所述(d)工序之后，在所述第1绝缘膜及所述槽的各自的侧壁形成由第2绝缘膜构成的侧阱间隔物的工序，所述槽的底部仅有一部分区域被所述侧阱间隔物覆盖，但所述槽的底部的另一部分区域不被所述侧阱间隔物覆盖而露出；以及

(f)在所述(e)工序之后，使用垂直离子注入法在所述多个槽的各自的下部的所述漂移层中掺杂第3杂质，由此在所述第1栅极层的上部的所述漂移层形成第2导电型的第2栅极层的工序，所述源极层与所述第1栅极层和所述第2栅极层不接触。

7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中，

在所述(c)工序之后、在所述(d)工序之前还包括：使用垂直离子注入法在所述多个槽的各自的下部的所述漂移层中掺杂第4杂质，由此在所述多个槽的各自的下部的所述漂移层形成第1导电型的反掺杂层的工序。

8.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述槽形成为其底面位于比所述源极层靠下方的位置。

9.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述半导体基板由碳化硅构成，所述第1杂质是氮，所述第2杂质及第3杂质是铝或者硼。