[发明专利]半导体电路

说明书

技术领域

本发明的实施方式涉及将连接在电源线间的内部电路从ESD电涌保护的半导体电路。

背景技术

以往，进行了各种对于ESD（Electrostatic Discharge，静电放电）的保护电路的提议。ESD是指从因静电而带电的人或机械向半导体设备的放电、或从带电的半导体设备向接地电位的放电等。如果对于半导体设备发生ESD，则大量的电荷从该端子成为电流向半导体设备流入，其电荷在半导体设备内部生成高电压，引起内部元件的绝缘破坏或半导体设备的故障。

作为ESD保护电路，使用了具备由RC电路驱动的钳位用的MOS晶体管的、被称作RCT（RC Triggered）MOS晶体管的保护元件。但是，有时会产生以下的不良状况，即：RC电路会响应由连接在电源线间的内部电路的动作带来的电源电压的波动，即使不是ESD也产生钳位用的MOS晶体管开启的误动作，产生所谓的浪涌电流而电源电压不上升这样的不良状况；以及与钳位用的MOS晶体管的误动作相伴的消耗电流的增加等的不良状况。因此，公开了通过控制信号强制地使钳位用的MOS晶体管关闭来防止误动作的技术。

发明内容

本发明要解决的课题是提供一种能够防止ESD保护用的钳位电路的误动作的半导体电路。

本发明的一实施方式的半导体电路的特征在于，具备：第1电源端子；第1电源线，与上述第1电源端子连接；第2电源端子；第2电源线，与上述第2电源端子连接；内部电路，连接在上述第1电源线与上述第2电源线之间；钳位电路，经由至少一个开关机构而串联连接在上述第1电源线与第2电源线之间；以及控制电路，控制上述开关机构的开启/关闭，上述控制电路在稳定状态下使上述开关机构关闭，上述钳位电路具备：具有第1电阻和第1电容器的串联连接的第1RC电路；被供给上述第1RC电路的输出信号的缓冲器电路；和主电流通路与上述第1RC电路并联连接、控制电极被供给上述缓冲器电路的输出信号的钳位晶体管，上述控制电路具备：具有在上述第1电源线与上述第2电源线之间串联连接的第2电阻和第2电容器的第2RC电路；和对上述第2RC电路的输出信号进行响应的逻辑电路，上述逻辑电路具有：接受上述第2RC电路的输出信号的第1输入端；和连接在上述第1电源线或上述第2电源线上的第2输入端。

另一实施方式的半导体电路的特征在于，具备：第1电源端子；第1电源线，与上述第1电源端子连接；第2电源端子；第2电源线，与上述第2电源端子连接；内部电路，连接在上述第1电源线与上述第2电源线之间；钳位电路，经由至少一个开关机构而串联连接在上述第1电源线与第2电源线之间；以及控制电路，控制上述开关机构的开启/关闭。

此外，另一实施方式的半导体电路，具备对内部电路进行保护的钳位电路，该内部电路被连接在与第1电源端子连接的第1电源线和与第2电源端子连接的第2电源线之间，上述钳位电路经由至少1个开关机构而串联连接在上述第1电源线与上述第2电源线之间，上述开关机构在稳定状态下是关闭的。

根据上述结构的半导体电路，能够防止ESD保护用的钳位电路的误动作。

附图说明

图1是以块图表示第1实施方式的图。

图2是表示第1实施方式的具体的结构的图。

图3是以块图表示第2实施方式的图。

图4是表示第2实施方式的具体的结构的图。

具体实施方式

以下，参照附图详细地说明有关实施方式的半导体电路。另外，并不通过这些实施方式限定本发明。

（第1实施方式）

图1是以块图表示第1实施方式的半导体电路的图。本实施方式具有作为第1电源电压而施加高电位侧的电源电压的第1电源端子1。在稳定状态下，在第1电源端子1上施加例如5伏特（V）的电压。在第2电源端子2上，作为低电位侧的电压，在稳定状态下施加例如接地电位。在第1电源端子1上连接高电位侧的第1电源线7。在第2电源端子2上连接低电位侧的第2电源线8。在第1电源线7与第2电源线8之间，连接着被两电源线间的电压施加偏压而进行规定的电路动作的内部电路3。